[发明专利]一种发光二极管元件及其制作方法

权利要求书

1.一种发光二极管元件，包括复数个发光二极管单元，

发光二极管单元之间采用串联式连接；

发光二极管单元之间的半导体层序列相互隔离，半导体层序列具有第一类型半导体层和第二类型半导体层以及位于两者之间设计用于产生辐射的有源层，其中

第一类型半导体层位于半导体层序列的正侧，

半导体层序列包含一个或复数个覆盖有绝缘层的凹处，凹处从半导体层序列的与正侧对置的背侧穿过有源层延伸到第一类型半导体层，

第一导电层穿过凹处来电连接第一类型半导体层，第二导电层位于第二类型半导体层的背侧并与第二类型半导体层电性连接，

第一导电层与第二导电层之间借助凹处延伸的绝缘层来彼此电绝缘，

复数个发光二极管单元的第一个发光二极管单元至少裸露出部分第一导电层，具有与其裸露的第一导电层电连接的第一电极，最后一个发光二极管单元至少裸露出部分第二导电层，具有与其第二导电层电连接的第二电极；

其特征在于，第一电极和第二电极朝向正侧，每个发光二极管的第一导电层背侧与基板正侧连接，第一导电层正侧与第一类型半导体层的背侧接触面积大于第一半导体层面积的1.5%；从凹处延伸的绝缘层覆盖在第二导电层的背侧，任意相邻的两个发光二极管单元其中一个发光二极管单元的第二导电层与另一个发光二极管单元的第一导电层设有一体连接的连接部，复数个发光二极管单元共用同一支撑和散热基板。

2.根据权利要求1所述的一种发光二极管元件，其特征在于，相互隔离的半导体层序列之间至少裸露出部分一体连接的连接部。

3.根据权利要求1所述的一种发光二极管元件，其特征在于，每个发光二极管单元从正侧裸露出一部分绝缘层，至少部分一体连接的连接部位于该部分绝缘层的下方。

4.根据权利要求1所述的一种发光二极管元件，其特征在于，复数个发光二极管单元具有相同的芯片结构。

5.根据权利要求1所述的一种发光二极管元件，其特征在于，复数个发光二极管单元通过在同一生长衬底上共同生长的半导体层序列来制作而成的。

6.根据权利要求1所述的一种发光二极管元件，其特征在于，第一导电层与第一类型半导体层的背侧接触面积为第一半导体层面积的大于等于4%到小于等于6%。

7.根据权利要求1所述的一种发光二极管元件，其特征在于，第一导电层和/或第二导电层包括金属材料。

8.根据权利要求1所述的一种发光二极管元件，其特征在于，半导体层序列的高度不高于7μm。

9.根据权利要求1所述的一种发光二极管元件，其特征在于：基板材料为陶瓷。

10.根据权利要求1所述的一种发光二极管元件，其特征在于：相邻两个发光二极管单元的第一导电层通过绝缘层隔离。

11.根据权利要求1所述的一种发光二极管元件，其特征在于：第一电极和第二电极位于发光二极管元件的外侧。

12.根据权利要求1所述的一种发光二极管元件，其特征在于：每个发光二极管单元包括从上到下依次层叠的第二导电层、绝缘层和第一导电层。

13.根据权利要求1所述的一种发光二极管元件，其特征在于：发光二极管元件包括3个至6个，或者7个至9个发光二极管单元。

14.一种发光二极管元件的制作方法，用于制作高压发光装置，包括步骤：

步骤1、在生长衬底上制作半导体层序列，半导体层序列包括第一类型半导体层、有源层、第二类型半导体层；

步骤2、从第二类型半导体层背侧挖出多个贯穿第二类型半导体层和有源层的凹处，凹处至少贯穿至第一类型半导体层；

步骤3、在第二类型半导体层表面的非凹处位置覆盖导电层，导电层包括n对位于同一水平面的第一导电层和第二导电层，其中n≥2，向导电层、凹处底部和侧壁覆盖绝缘层；

步骤4、在绝缘层上挖孔，至少露出凹处底部的第一类型半导体层和n个第一导电层的部分区域；

步骤5、在凹处底部、绝缘层、n个第一导电层的部分区域继续覆盖第一导电层材料，n个第一导电层之间设置绝缘层隔离；

步骤6、在第一导电层的背侧直接连接散热基板；

步骤7、去除生长衬底；

步骤8、从第一类型半导体层的正侧开始移除部分半导体层序列，移除半导体层序列至露出第一导电层和第二导电层，形成n个相互隔离的半导体层序列；

步骤9、在第一个半导体层序列露出的第一导电层上制作第一电极，同时在最后一个半导体层序列露出的第二导电层上制作第二电极。