[发明专利]基底疏水化的方法

权利要求书

1.一种在基底上施加非晶硅涂层的方法，所述方法包括以下步骤：

a)准备所述基底的至少一个表面，包括按以下顺序的以下步骤：

-i)在25℃至35℃的温度下用有机溶剂清洁所述基底的至少一个表面，

-ii)在所述清洁后，在20℃至30℃的温度下用无机酸的溶液处理所述基底的所述至少一个表面30分钟至60分钟以降低所述基底的所述至少一个表面的粗糙度，其中所述无机酸的溶液中所述无机酸的浓度为1mol·L^-1，

-iii)在使用所述无机酸的溶液的所述处理之后，在惰性气体气氛中在200℃至300℃的温度下干燥所述基底的所述至少一个表面10分钟至30分钟以除去剩余量的所述有机溶剂和所述无机酸的溶液；

b)在所述基底的至少一个表面上沉积非晶硅，其中沉积步骤包括在惰性气体气氛中使硅前体分解，其中沉积步骤的惰性气体充当输送所述硅前体的载气，其中所述载气和步骤iii)中使用的所述惰性气体是相同的，

其中所述基底由金属材料制成，其中步骤ii)的降低基底的所述至少一个表面的粗糙度增加了所述非晶硅对所述基底的所述至少一个表面的粘合性，以及

其中所述方法还包括在步骤i)之后用蒸馏水洗涤所述基底的所述至少一个表面，以及在步骤ii)之后用蒸馏水洗涤所述基底的所述至少一个表面。

2.根据权利要求1所述的方法，其中在28℃至30℃的温度下清洁所述基底的所述至少一个表面。

3.根据权利要求1所述的方法，其中在25℃的温度下用所述无机酸的溶液处理所述基底的所述至少一个表面。

4.根据权利要求1所述的方法，其中在600℃至1000℃的温度下使硅前体分解3分钟至240分钟。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述硅前体是硅氢化物。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述惰性气体选自氩气、氦气、氮气。

7.根据权利要求1所述的方法，其中将所述硅前体与所述惰性气体混合，其中混合物中所述硅前体的量为1体积％至30体积％。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述硅前体的量为1体积％至10体积％。

9.根据权利要求1所述的方法，其中至少一个表面表示所述基底的内表面和/或外表面。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述无机酸选自盐酸、硫酸、硝酸、及其两者或更多者的混合物。

11.根据权利要求9所述的方法，其中沉积所述非晶硅在所述基底的所述内表面和所述外表面上以任意顺序依次进行。

12.根据权利要求9所述的方法，其中沉积非晶硅在所述基底的所述内表面和所述外表面上同时进行。

13.根据权利要求1所述的方法，其中所述有机溶剂是挥发性有机溶剂。

14.根据权利要求1所述的方法，其中所述溶剂是乙醇或叔丁醇。

15.根据权利要求1所述的方法，其中所述基底的所述金属材料为不锈钢。