[发明专利]作为有机发光元件的材料使用的有机物质的纯化方法有效
申请号: | 201880004151.0 | 申请日: | 2018-06-19 |
公开(公告)号: | CN109923689B | 公开(公告)日: | 2020-06-19 |
发明(设计)人: | 千民承;洪性佶;金炯锡;崔愍偶 | 申请(专利权)人: | 株式会社LG化学 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L51/00 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 苗堃;金世煜 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 作为 有机 发光 元件 材料 使用 物质 纯化 方法 | ||
本发明涉及一种作为有机发光元件的材料使用的有机物质的纯化方法,根据本发明的作为有机发光元件的材料使用的有机物质的纯化方法能够以简单且有效的方法提供高纯度的有机物质,特别是能够提供通过抑制释气来提高工序进行速度而能够提高生产效率,并且使蒸镀速度稳定化而防止由于不均匀的蒸镀引起的不良的高纯度的有机物质。
技术领域
相关申请的相互引用
本申请主张基于2017年9月20日的韩国专利申请第10-2017-0121474号的优先权,包含该韩国专利申请的文献中公开的全部内容作为本说明书的一部分。
本发明涉及作为有机发光元件的材料使用的有机物质的纯化方法。
背景技术
随着将有机材料用于有机发光元件、有机半导体元件、有机光电转换元件、有机传感元件等电子元件的例子逐渐增加,以低成本提供作为有机电子元件制造的材料使用的高品质的有机物质越来越重要。
特别是用于有机发光元件的电子注入层、电子传输层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、覆盖层等的导电性有机物质含有杂质时可能会给有机电子元件的性能带来严重的不良影响,因此必需以优选为99.9%以上的高纯度进行纯化的过程。
另外,最近还有开发回收用于有机电子元件的制造的导电性有机物质而再次纯化的工序的趋势。例如,有机发光元件通过在真空状态下使导电性有机物质蒸发而在基板上蒸镀的方式制造,这时被蒸镀在基板上的量小于蒸发的有机材料的10%,其余附着于工序装置表面。这时即使将附着于工序装置表面的导电性有机物质通过刮取等方式回收,其中也含有各种杂质,因此为了对其进行再利用,必须要求以高纯度再次纯化的过程。
目前作为用于将有机发光元件等有机电子元件制造中使用的高纯度的导电性有机物质以可实用的水平大量纯化的方法,使用升华纯化法。升华纯化法是利用导电性有机物质和其中包含的杂质的升华点差异的纯化方法,具体是如下方法:通过将配置于维持真空状态的管内部的长度方向一端部的导电性有机物质加热至升华点以上而使其升华,导电性有机物质在管内部的长度方向另一端部区域被冷却而使其再结晶化,从而得到杂质被去除的高纯度的导电性有机物质。但是,根据升华纯化法,将被再结晶化而蒸镀于管内壁的纯化有机材料以手工作业刮取而采集,这时,在拆卸外部管而刮取的过程中,有机物质暴露于空气中而可能发生污染或变质现象。
特别是,将包含这种杂质的有机物质用作有机发光元件的材料来制造有机发光元件时,由于真空蒸镀工序中发生的释气(Out-gassing)而工序准备时间变长,从而发生生产效率降低的问题,由于蒸镀速度变得不稳定而以不均匀的厚度蒸镀的部分产生亮度的不均匀性而成为不良的原因。
发明内容
本发明的目的是提供将作为有机发光元件的材料使用的有机物质进行纯化的方法,其能够以简单且有效的纯化方法得到高纯度的有机物质。
根据本发明的一实施例,提供一种作为有机发光元件的材料使用的有机物质的纯化方法,包括:将作为有机发光元件的材料使用的有机物质升华纯化的步骤;将上述升华纯化的有机物质熔融而得到凝聚的有机物质的步骤;以及将上述凝聚的有机物质从杂质中分离回收的步骤。
通常情况下,由于用于有机发光元件的有机物质应该是杂质含量极少的高纯度状态,因此只通过升华纯化工序难以得到需要的纯度的物质。
但是,本发明的作为有机发光元件的材料使用的有机物质的纯化方法基于以下方法:在对升华纯化的有机物质进行熔融时发生相平衡,从想要纯化的物质中去除杂质的方法。由此,在对升华纯化的有机物质进行熔融的情况下,高纯度的有机物质从杂质中分离而凝聚,通过将其冷却和回收的过程而能够得到高纯度的有机物质。此外,在将这种高纯度的有机物质用作有机发光元件的材料的情况下,通过抑制释气(Out gassing)来提高工序进行速度而能够提高生产效率,使蒸镀速度稳定化而能够防止由不均匀的蒸镀引起的不良。
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H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
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