[发明专利]自旋轨道转矩型磁化旋转元件、自旋轨道转矩型磁阻效应元件及磁存储器

权利要求书

1.一种自旋轨道转矩型磁化旋转元件，其中，

具备：

自旋轨道转矩配线，其沿着第一方向延伸；和

第一铁磁性层，其层叠于所述自旋轨道转矩配线，

所述自旋轨道转矩配线包含化学计量组成中以XYZ或X₂YZ表示的化合物，

在所述化合物为X₂YZ的情况下，所述自旋轨道转矩配线的主骨架为包含L2₁结构、B2结构、A2结构中的任意种的结构，

在所述化合物为XYZ的情况下，所述自旋轨道转矩配线的主骨架为包含C1_b结构、B2结构、A2结构中的任意种的结构，

所述化合物中，对于将X元素、Y元素及Z元素的最外层电子数相加得到的值，

在所述化合物的组成为XYZ的情况下为21以下，

在所述化合物的组成为X₂YZ的情况下为27以下。

2.一种自旋轨道转矩型磁化旋转元件，其中，

具备：

自旋轨道转矩配线，其沿着第一方向延伸；和

第一铁磁性层，其层叠于所述自旋轨道转矩配线，

所述自旋轨道转矩配线包含化学计量组成中以XYZ或X₂YZ表示的化合物，

在所述化合物为X₂YZ的情况下，所述自旋轨道转矩配线的主骨架为包含L2₁结构、B2结构、A2结构中的任意种的结构，

在所述化合物为XYZ的情况下，所述自旋轨道转矩配线的主骨架为包含C1_b结构、B2结构、A2结构中的任意种的结构，

所述自旋轨道转矩配线为非磁性体。

3.根据权利要求1或2所述的自旋轨道转矩型磁化旋转元件，其中，

所述X为选自Fe、Co、Ni、Mn、Re、Ru、Os、Rh、Pd、Ir及Pt中的一种以上的元素，

所述Y为选自Ti、V、Cr、Mo、W、Ta、Mn、Re、Os、Zr、Nb、Hf、Ta、Zn、Cu、Ag、Au、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Fe、Ru、Tm、Yb及Lu中的一种以上的与所述X不同的元素，

所述Z为选自Al、Si、Ga、Ge、In、Sn、Sb、Pb、Mg、Sr及Bi中的一种以上的元素。

4.根据权利要求1所述的自旋轨道转矩型磁化旋转元件，其中，

在所述化合物为X₂YZ的情况下，所述自旋轨道转矩配线的主骨架为包含B2结构、A2结构中的任意种的结构，

在所述化合物为XYZ的情况下，所述自旋轨道转矩配线的主骨架为包含B2结构、A2结构中的任意种的结构。

5.根据权利要求2所述的自旋轨道转矩型磁化旋转元件，其中，

所述化合物中，对于将X元素、Y元素及Z元素的最外层电子数相加得到的值，

在所述化合物的组成为XYZ的情况下为21以下，

在所述化合物的组成为X₂YZ的情况下为27以下。

6.根据权利要求1或4所述的自旋轨道转矩型磁化旋转元件，其中，

所述自旋轨道转矩配线为反铁磁性体。

7.根据权利要求1或2所述的自旋轨道转矩型磁化旋转元件，其中，

所述化合物中的X元素、Y元素或Z元素包含周期表中的第五周期以上的元素。

8.根据权利要求1或2所述的自旋轨道转矩型磁化旋转元件，其中，

所述化合物在化学计量组成中以XYZ表示。