[发明专利]R－T－B系烧结磁体的制造方法

说明书

准备R1－T－B系烧结磁体原材料、R2－Ga合金。烧结磁体原材料含有R：27.5～35.0质量％、B：0.80～0.99质量％、Ga：0～0.8质量％、M：0～2质量％(M为Cu、Al、Nb、Zr中的至少一种)、T：60质量％以上。使烧结磁体原材料表面的至少一部分与R2－Ga合金的至少一部分接触，在700℃以上950℃以下的温度实施第一热处理，由此使烧结磁体原材料所含的RH量增加0.05质量％以上0.40质量％以下的扩散工序；和以450℃以上750℃以下的温度、且以低于上述第一热处理温度的温度实施第二热处理。

技术领域

本发明涉及R－T－B系烧结磁体的制造方法。

背景技术

R－T－B系烧结磁体(R为稀土元素中的至少一种，必需包含Nd和Pr中的至少一者。T为Fe或者Fe和Co，B为硼)已知是永磁体中具有最高性能的磁体，被用于硬盘驱动器的音圈电机(VCM)、电动汽车用(EV、HV、PHV等)电机、工业设备用电机等的各种电机、家电制品等。

R－T－B系烧结磁体由主要包含R₂T₁₄B化合物的主相和位于该主相的晶界部分的晶界相构成。作为主相的R₂T₁₄B化合物是具有高磁饱和和各向异性磁场的强磁性材料，构成R－T－B系烧结磁体的特性的基础。

R－T－B系烧结磁体具有在高温下矫顽力H_cJ(下面，有时简单称为“矫顽力”或“H_cJ”)降低、因而发生不可逆热退磁的问题。因此，特别是用于电动汽车用电机的R－T－B系烧结磁体中，要求在高温下也具有高的H_cJ，即在室温下具有更高的H_cJ。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2007/102391号

专利文献2：国际公开第2016/133071号

发明内容

发明要解决的技术问题

已知将R₂T₁₄B型化合物相中作为轻稀土元素RL的Nd利用重稀土元素(主要是Dy、Tb)进行替代时，H_cJ提高。然而，在R－T－B系烧结磁体中，将轻稀土元素(主要是Nd、Pr)用重稀土元素替代时，虽然H_cJ提高，但另一方面，R₂T₁₄B型化合物相的磁饱和降低，因而存在剩磁通密度B_r(下面，有时简单称为“剩磁通密度”或“B_r”)降低的问题。

专利文献1中，记载了在R－T－B系合金的烧结磁体的表面供给Dy等重稀土元素、并且使重稀土元素扩散至烧结磁体的内部。专利文献1所记载的方法中，使Dy从R－T－B系烧结磁体的表面向内部扩散，仅在对于提高H_cJ有效的主相晶粒的外壳部使Dy变浓，由此能够抑制B_r降低，并且得到高的H_cJ。

然而，特别是由于Dy等重稀土元素不仅资源存在量少，而且产出地受限等理由，存在供给不稳定、价格有大幅度变动等的问题。因此，近年来要求尽量不使用重稀土元素地提高H_cJ。

专利文献2中，记载了使与通常相比B量更低(低于R₂T₁₄B化合物的化学计量比)的R－T－B系烧结体的表面接触特定组成的R－Ga－Cu合金，并通过在450℃以上600℃以下的温度进行热处理，由此控制R－T－B系烧结磁体中的晶界相的组成和厚度，从而提高H_cJ。依据专利文献2中记载的方法，即使不使用Dy等的重稀土元素也能够提高H_cJ。然而，近年来，特别是在电动汽车用电机等中，要求尽量不使用重稀土元素而得到更高的H_cJ。