[发明专利]雪崩光电二极管传感器

权利要求书

1.一种雪崩光电二极管传感器，其包括：

光电转换区域，所述光电转换区域设置在基板中并将入射光转换成电荷；

第一导电类型的第一区域，所述第一区域位于所述光电转换区域上；

阴极，所述阴极以与所述第一区域相邻的方式设置在所述基板中，并且所述阴极连接到所述光电转换区域；

阳极，所述阳极以与所述阴极相邻的方式设置在所述基板中；以及

所述第一导电类型的触点，所述触点设置在所述基板中，所述第一区域的杂质浓度不同于所述触点的杂质浓度。

2.根据权利要求1所述的雪崩光电二极管传感器，其中，所述第一区域的所述杂质浓度低于所述触点的所述杂质浓度。

3.根据权利要求1所述的雪崩光电二极管传感器，还包括：

所述第一导电类型的第二区域，所述第二区域设置在所述基板中并且位于所述光电转换区域和所述第一区域之间，其中，所述第一区域的所述杂质浓度高于所述第二区域的杂质浓度。

4.根据权利要求1所述的雪崩光电二极管传感器，还包括：

绝缘结构，所述绝缘结构形成在所述基板中且位于所述光电转换区域和相邻的光电转换区域之间。

5.根据权利要求4所述的雪崩光电二极管传感器，其中，所述阴极位于所述阳极和所述第一区域之间。

6.根据权利要求4所述的雪崩光电二极管传感器，还包括：

位于所述基板的受光面上的膜，其中，所述膜位于所述绝缘结构的侧表面上。

7.根据权利要求1所述的雪崩光电二极管传感器，其中，在平面图中，所述第一区域围绕所述触点，并且所述阴极围绕所述第一区域。

8.根据权利要求7所述的雪崩光电二极管传感器，其中，在所述平面图中，所述阳极围绕所述阴极。

9.根据权利要求8所述的雪崩光电二极管传感器，其中，在所述平面图中，所述触点位于所述第一区域的中心区域。

10.根据权利要求1所述的雪崩光电二极管传感器，其中，所述触点和所述阴极连接到接收第一电压的第一信号线，且其中，所述阳极连接到接收第二电压的第二信号线。

11.根据权利要求1所述的雪崩光电二极管传感器，其中，所述阳极、所述阴极和所述第一区域是矩形或圆形的一种。

12.权利要求1所述的雪崩光电二极管传感器，其中，在平面图中，所述第一区域围绕所述阴极，所述触点围绕所述第一区域，且所述阳极围绕所述触点。

13.根据权利要求1所述的雪崩光电二极管传感器，还包括：

晶体管，其包括；

源极和漏极，所述源极和所述漏极形成在所述第一区域中；

氧化层，所述氧化层位于所述第一区域上；和

栅极，所述栅极位于所述氧化层上。

14.一种雪崩光电二极管传感器，其包括：

光电转换区域，所述光电转换区域设置在基板中并将入射光转换成电荷；

第一导电类型的第一区域，所述第一区域设置在所述基板中；

阴极，所述阴极以与所述第一区域相邻的方式设置在所述基板中，并且所述阴极连接到所述光电转换区域；

阳极，所述阳极以与所述阴极相邻的方式设置在所述基板中；以及

所述第一导电类型的触点，所述触点设置在所述第一区域中，所述第一区域的杂质浓度低于所述触点的杂质浓度。

15.根据权利要求14所述的雪崩光电二极管传感器，还包括：

所述第一导电类型的第二区域，所述第二区域设置在所述基板中并且位于所述光电转换区域和所述第一区域之间。