[发明专利]具有延伸电介质层的电容器结构和形成电容器结构的方法

权利要求书

1.一种电容器结构，包括：

上导电层；

下导电层；

氧化物-氮化物-氧化物ONO结构，所述ONO结构布置在所述上导电层和所述下导电层之间，所述ONO结构包括下氧化物层、氮化物电介质层和上氧化物层；

其中所述氮化物电介质层的一部分延伸超出所述上导电层的侧向边缘；以及

间隔物，所述间隔物邻近所述上导电层的所述侧向边缘并且覆盖所述氮化物电介质层延伸超出所述上导电层的所述侧向边缘的所述部分；

其中所述间隔物包括与所述ONO结构的上氧化物层不同的氧化物。

2.根据权利要求1所述的电容器结构，其中所述ONO结构的所述上氧化物层延伸不超出所述上导电层的所述侧向边缘。

3.根据权利要求1所述的电容器结构，其中位于所述氮化物电介质层的所述部分下方的所述ONO结构的所述下氧化物层的部分延伸超出所述上导电层的所述侧向边缘。

4.根据权利要求1所述的电容器结构，其中：

所述氮化物电介质层的末端边缘在第一方向上延伸超出所述上导电层的所述侧向边缘；并且

所述下导电层在所述第一方向上延伸超出所述氮化物电介质层的所述末端边缘。

5.根据权利要求1所述的电容器结构，其中所述上导电层和所述下导电层包括多晶硅。

6.根据权利要求1所述的电容器结构，其中所述下导电层包括第一多晶硅层，并且所述上导电层包括第二多晶硅层。

7.一种形成电容器结构的方法，所述方法包括：

形成下导电层；

在所述下导电层上方形成ONO结构，所述ONO结构包括下氧化物层、氮化物电介质层和上氧化物层；以及

在所述电介质层上方形成上导电层；

其中在形成所述电容器结构之后，所述电介质层的第一部分延伸超出所述上导电层的侧向边缘，

形成间隔物，所述间隔物邻近所述上导电层的所述侧向边缘并且覆盖所述氮化物电介质层延伸超出所述上导电层的所述侧向边缘的所述部分；

其中所述间隔物包括与所述ONO结构的所述上氧化物层不同的氧化物。

8.根据权利要求7所述的方法，包括：

执行蚀刻以移除横向延伸超出所述间隔物的所述电介质层的第二部分，其中所述间隔物保护所述电介质层的所述第一部分不被蚀刻移除；

使得在所述蚀刻之后，所述间隔物和被所述间隔物覆盖的所述电介质层的所述第一部分延伸超出所述上导电层的所述侧向边缘。

9.根据权利要求8所述的方法，其中形成所述间隔物包括：

部分地移除间隔层以暴露所述电介质层的所述第二部分。

10.根据权利要求8所述的方法，其中所述上导电层和所述下导电层包括多晶硅。

11.根据权利要求10所述的方法，其中形成所述下导电层包括形成第一多晶硅层，并且形成所述上导电层包括形成第二多晶硅层。

12.一种电容器结构，包括：

上导电层；

下导电层；

氧化物-氮化物-氧化物ONO结构，所述ONO结构布置在所述上导电层和所述下导电层之间，且所述ONO结构包括下氧化物层、氮化物电介质层和上氧化物层；

其中所述氮化物电介质层的侧向边缘延伸超出所述上导电层的外侧向边缘，以致所述上导电层不能上覆于所述氮化物电介质层的所述侧向边缘；以及

间隔物，所述间隔物邻近且接触所述上导电层的所述外侧向边缘并且覆盖所述氮化物电介质层的侧端区域，所述侧端区域从所述上导电层的所述外侧向边缘横向延伸到所述氮化物电介质层的所述侧向边缘。

13.根据权利要求12所述的电容器结构，其中所述间隔物包括氧化物层。