[发明专利]升降销及真空处理装置有效
| 申请号： | 201880004839.9 | 申请日： | 2018-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN110073484B | 公开（公告）日： | 2023-10-17 |
| 发明（设计）人： | 山本良明;神保洋介;宮谷武尚;江藤谦次;阿部洋一 | 申请（专利权）人： | 株式会社爱发科 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/3065;H01L21/31 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 辛雪花;周艳玲 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 升降 真空 处理 装置 | ||
1.一种升降销，与具有处理面及非处理面的基板接触，所述升降销具备：
中央部件，具备具有第一表面粗糙度及电绝缘部的第一面和作为导电性部件的主体，所述中央部件与所述基板的所述非处理面相对；和
周围部件，具备具有小于所述第一表面粗糙度的第二表面粗糙度及电绝缘部的第二面，所述周围部件包围所述中央部件的周围且与所述基板的所述非处理面相对。
2.根据权利要求1所述的升降销，其中，
所述周围部件为电绝缘部件。
3.根据权利要求1所述的升降销，其中，
所述周围部件为导电性部件。
4.根据权利要求3所述的升降销，其中，
所述中央部件及所述周围部件为由导电性部件形成的一体物。
5.根据权利要求1至4中的任一项所述的升降销，其中，
所述第一面及所述第二面具有曲面，从而在所述升降销所延伸的方向上所述中央部件在所述第一面上的中心位置位于比所述周围部件在所述第二面上的端部位置更靠外侧。
6.根据权利要求1至5中的任一项所述的升降销，其中，
位于所述周围部件的外侧面与所述周围部件的所述第二面之间的角部具有曲面。
7.根据权利要求1至6中的任一项所述的升降销，其中，
所述第一面及所述第二面能够与所述基板的所述非处理面接触。
8.一种真空处理装置，具备：
真空腔室；
基板保持体，具有载置基板的基板载置面和在所述基板载置面上开口的开口孔，所述基板保持体配置在所述真空腔室内；
权利要求1至7中的任一项所述的升降销，设置在与所述开口孔对应的位置上且在所述开口孔的内部能够上下升降；
高频电源，用于在所述真空腔室内发生等离子体；和
升降机构，用于使所述升降销相对于所述基板保持体上下移动。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社爱发科，未经株式会社爱发科许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201880004839.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：波形分析装置、及波形分析方法
- 下一篇：无空隙间隙填充的电化学沉积方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
