[发明专利]复合镀层、镀膜设备及镀膜方法

权利要求书

1.一种形成于钕铁硼稀土磁体表面的复合镀层，其特征在于，所述复合镀层包括第一镀层和第二镀层，所述第二镀层位于所述第一镀层的表面，所述第一镀层为Nd镀层，或者为Pr镀层，或者为Nd、Pr、Cu中至少两种以上的合金镀层，所述第二镀层为Tb镀层。

2.根据权利要求1所述复合镀层，其特征在于，所述第一镀层的厚度为0.2～2μm，所述第二镀层的厚度为2～10μm。

3.根据权利要求1所述复合镀层，其特征在于，所述复合镀层还包括第三镀层，所述第三镀层位于所述第二镀层的表面，所述第三镀层为Dy镀层。

4.根据权利要求3所述复合镀层，其特征在于，所述第三镀层的厚度为1～2μm。

5.一种镀膜设备，包括镀膜室，所述镀膜室的顶部安装有靶材，其特征在于，所述靶材包括第一靶材和第二靶材；

所述第一靶材为Nd靶材，或者为Pr靶材，或者为Nd、Pr、Cu中至少两种以上的合金靶材；

所述第二靶材为Tb靶材；

所述第一靶材位于所述第二靶材的前方。

6.根据权利要求5所述镀膜设备，其特征在于，所述靶材还包括第三靶材，所述第三靶材为Dy靶材，所述第三靶材位于所述第二靶材的后方。

7.根据权利要求5所述镀膜设备，其特征在于，还包括清洗室和第一缓冲室，所述清洗室内安装有离子轰击清洗器，所述清洗室连通所述镀膜室，所述第一缓冲室连通所述镀膜室。

8.根据权利要求7所述镀膜设备，其特征在于，还包括进样室和冷却室，所述进样室连接所述清洗室，所述冷却室通过第一阀门连接所述第一缓冲室。

9.根据权利要求8所述镀膜设备，其特征在于，所述进样室、清洗室和第一缓冲室的顶部分别连接有分子泵；

所述进样室的分子泵位于靠近所述清洗室一侧；

所述清洗室的两端均安装有分子泵；

所述第一缓冲室的分子泵位于靠近所述镀膜室一端。

10.根据权利要求8所述镀膜设备，其特征在于，还包括第二缓冲室，所述进样室通过第二阀门连接所述第二缓冲室，所述第二缓冲室通过第三阀门连接所述清洗室。

11.根据权利要求10所述镀膜设备，其特征在于，还包括预热器，所述预热器位于所述进样室内，或位于所述第二缓冲室内，或位于所述清洗室内。

12.根据权利要求10所述镀膜设备，其特征在于，所述第一缓冲室、清洗室和第二缓冲室分别连接有分子泵。

13.根据权利要求12所述镀膜设备，其特征在于，所述分子泵分别位于所述第一缓冲室、清洗室、第二缓冲室的顶部；

所述第一缓冲室的分子泵位于靠近所述镀膜室一端；

所述清洗室的两端均安装有分子泵；

所述第二缓冲室的分子泵位于靠近所述第三阀门一端。

14.根据权利要求8所述镀膜设备，其特征在于，还包括出样室，所述冷却室通过第四阀门连接所述出样室。

15.根据权利要求14所述镀膜设备，其特征在于，还包括进样台和出样台，所述进样台连接所述进样室，所述出样台连接所述出样室。

16.根据权利要求14所述镀膜设备，其特征在于，所述进样室、冷却室和出样室均连接有真空泵；所述清洗室、镀膜室、第一缓冲室、冷却室和出样室分别与惰性气体装置连接。