[发明专利]半导体芯片的制造方法

说明书

通过从表面(S)侧照射SFsubgt;6/subgt;气体等离子体，对在切割道部分露出的半导体晶片(1)进行蚀刻，分割成各个半导体芯片而进行单片化。接着，从表面(S)侧供给除去剂(16)。此时，优选使分割成芯片的半导体晶片(1)高速旋转。通过以上，利用除去剂(16)将残留在表面(S)上的掩模材料层(3b)去除。需要说明的是，作为除去剂(16)，优选为有机溶剂，特别优选为甲基乙基酮、乙醇或乙酸乙酯、或者它们的组合。

技术领域

本发明涉及半导体芯片的制造方法。

背景技术

最近，半导体芯片向薄膜化、小芯片化的进展显著，特别是对于内置有存储卡、智能卡之类的半导体IC芯片的IC卡要求薄膜化，另外，对于LED/LCD驱动用器件等要求小芯片化。今后，随着这些器件的需求的增加，认为半导体芯片的薄膜化、小芯片化的要求会进一步提高。

这些半导体芯片通过在背面磨削工序或蚀刻工序等中将半导体晶片薄膜化至规定厚度后、经过切割工序分割成各个芯片而得到。在该切割工序中，使用利用切割刀片来切断的刀片切割方式。刀片切割方式中，在切断时刀片所受到的切削阻力直接施加于半导体晶片。因此，有时会由于该切削阻力而在半导体芯片中产生微小的缺损(碎裂)。碎裂的产生不仅损害半导体芯片的外观，有时还会因抗折强度不足而导致拾取时的芯片破损，有可能破损至芯片上的电路图案。另外，在利用刀片进行的物理性切割工序中，无法使作为芯片彼此的间隔的切槽(划线槽、也称为切割道)的宽度比具有厚度的刀片宽度更窄。其结果，从一片晶片能够获取的芯片的数目(收率)减少。此外还存在晶片的加工时间长的问题。

除了刀片切割方式以外，切割工序中还利用各种方式。例如有下述DBG(先切割)方式：鉴于将晶片薄膜化后难以进行切割，先与规定厚度相应地预先在晶片上形成槽，然后进行磨削加工，同时进行薄膜化和向芯片的单片化。利用该方式，切槽宽度与刀片切割工序相同，但具有芯片的抗折强度提高、能够抑制芯片的破损的优点。

另外，存在利用激光进行切割的激光切割方式。利用激光切割方式，能够使切槽宽度窄，并且还具有成为干式工艺的优点。但是，利用激光切断时，存在晶片表面因升华物而污损的不良情况，有时需要用规定的液态保护材料对晶片表面进行保护的预处理。另外，虽说是干式工艺，但尚未达到实现完全的干式工艺的程度。此外，与刀片切割方式相比，激光切割方式能够使处理速度高速化。但是，并没有改变逐道进行加工的情况，在制造极小芯片时相当耗费时间。

另外，还有采用利用水压进行切割的水射流方式等的湿式工艺的方式。该方式中，对于MEMS器件、CMOS传感器等需要高度抑制表面污染的材料有可能产生问题。另外，切槽宽度的狭窄化有限，所得到的芯片的收率也低。

另外，还已知下述的隐形切割方式，其中，利用激光在晶片的厚度方向上形成改性层，扩张后分割而单片化。该方式具有能够使切槽宽度为零、能够以干式进行加工的优点。但是，具有因改性层形成时的热历程而导致芯片抗折强度降低的倾向，另外，在扩张并分割时有时会产生硅屑。此外，与相邻芯片的碰撞有可能引起抗折强度不足。

此外，作为隐形切割与先切割组合而成的方式，有下述的窄划线宽度对应芯片单片化方式，其中，在薄膜化之前先与规定厚度相应地预先形成改性层，然后从背面进行磨削加工，同时进行薄膜化和向芯片的单片化。该技术改善了上述工艺的缺点，在晶片背面磨削加工中利用应力将硅的改性层劈开而进行单片化，因此具有切槽宽度为零、芯片收率高、抗折强度也提高的优点。但是，由于在背面磨削加工中进行单片化，因此有时会观察到芯片端面与相邻芯片碰撞而芯片角缺损的现象。

另外，还提出了利用等离子体切割方式的切割技术(例如参照专利文献1)。等离子体切割方式是通过利用等离子体选择性地对未被掩模覆盖的部位进行蚀刻来分割半导体晶片的方法。使用该切割方法时，能够选择性地进行芯片的分割，即使划线槽是弯曲的也能没有问题地进行分割。另外，蚀刻速率非常高，因此近年来被认为是最适合于芯片分割的工艺之一。

现有技术文献

专利文献