[发明专利]有机半导体组合物、有机薄膜及有机薄膜晶体管

权利要求书

1.一种有机半导体组合物，其包含有机半导体化合物、绝缘化合物、作为该绝缘化合物的良溶剂的有机溶剂A、以及作为该绝缘化合物的贫溶剂且沸点高于所述有机溶剂A的有机溶剂B，所述有机溶剂A与所述有机溶剂B的含有质量比率a：b为1：8至8：1，

绝缘化合物为具有下述式(1)或(2)的重复单元的化合物，

式(1)及(2)中，R₁至R₄独立地表示碳数1至20的直链或支链的烷基。

2.根据权利要求1所述的有机半导体组合物，其中，有机半导体化合物为具有苯并骨架、苯并菲骨架或杂苯并骨架的化合物。

3.根据权利要求2所述的有机半导体组合物，其中，具有杂苯并骨架的化合物为具有噻吩并噻吩骨架的化合物。

4.根据权利要求1所述的有机半导体组合物，其中，有机溶剂A为由具有醚基、酮基或酯基的化合物构成的溶剂，且有机溶剂B为由烃系化合物构成的溶剂。

5.根据权利要求4所述的有机半导体组合物，其中，有机溶剂A及有机溶剂B两者均为由芳香族系化合物构成的溶剂。

6.根据权利要求1所述的有机半导体组合物，其中，有机溶剂A与有机溶剂B的沸点差为10℃以上。

7.根据权利要求6所述的有机半导体组合物，其中，有机溶剂A与有机溶剂B的沸点差为130℃以下。

8.根据权利要求1所述的有机半导体组合物，其中，有机半导体化合物在有机溶剂A中的溶解度及有机半导体化合物在有机溶剂B中的溶解度两者均为0.2质量％以上。

9.根据权利要求1所述的有机半导体组合物，其中，绝缘化合物在有机溶剂A中的溶解度为0.5质量％以上，且绝缘化合物在有机溶剂B中的溶解度为0.05质量％以下。

10.根据权利要求1所述的有机半导体组合物，其中，有机溶剂A与绝缘化合物的汉森溶解度参数中的氢键项的差为2.5卡/cm³以下，且有机溶剂B与绝缘化合物的汉森溶解度参数中的氢键项的差为2.0卡/cm³以上。

11.根据权利要求10所述的有机半导体组合物，其中，有机溶剂B与绝缘化合物的汉森溶解度参数中的氢键项的差为5.0卡/cm³以下。

12.根据权利要求1所述的有机半导体组合物，其中，有机溶剂A与有机溶剂B的含有质量比率a：b为1：5至5：1。

13.根据权利要求12所述的有机半导体组合物，其中，有机溶剂A与有机溶剂B的含有质量比率a：b为1：5至2：1。

14.根据权利要求1所述的有机半导体组合物，其中，相对于有机半导体化合物与绝缘化合物的合计，绝缘化合物的含量为1至80质量％。

15.根据权利要求14所述的有机半导体组合物，其中，相对于有机半导体化合物与绝缘性化合物的合计，绝缘性化合物的含量为1至15质量％。

16.一种有机薄膜，其使用权利要求1至15中任一所述的有机半导体组合物而得到。

17.一种有机薄膜晶体管，其具有权利要求16所述的有机薄膜。