[发明专利]三维存储组件形成过程中阶梯的蚀刻控制方法

权利要求书

1.一种控制光阻(PR)修整工艺中的PR修整速率的方法，包括：

在基底的第一区域上方形成PR层；

形成第一修整标记在所述基底的与所述第一区域相邻的第二区域上；

修整所述PR层；

沿着平行所述基底的顶面的第一方向，测量所述第一修整标记与所述PR层之间的第一距离，以确定所述PR修整工艺中沿着所述第一方向的实际PR修整速率；

将沿着所述第一方向的所述实际PR修整速率与沿着所述第一方向的估计PR修整速率比较，以确定沿着所述第一方向的所述实际PR修整速率与沿着所述第一方向的所述估计PR修整速率之间的第一差值；以及

基于所述第一差值，调整所述PR修整工艺中的一个或多个PR修整参数。

2.如权利要求1所述的方法，其中，所述第一修整标记是由图案化所述基底的所述第二区域形成的。

3.如权利要求1或2所述的方法，其中，所述第一修整标记包括突起结构和凹陷结构中的一者或多者。

4.如权利要求1或2所述的方法，其中，所述第一修整标记包括长方形、圆形、不规则形状、正方形及其组合。

5.如权利要求1或2所述的方法，还包括：

在所述第二区域上形成第二修整标记；

沿着平行所述基底的所述顶面的第二方向，测量所述第二修整标记与所述PR层之间的第二距离，以确定所述PR修整工艺中沿着所述第二方向的实际PR修整速率；

将沿着所述第二方向的所述实际PR修整速率与沿着所述第二方向的估计PR修整速率比较，以确定沿着所述第二方向的所述实际PR修整速率与沿着所述第二方向的所述估计PR修整速率之间的第二差值；以及

基于所述第二差值，调整所述PR修整工艺中的一个或多个PR修整参数。

6.如权利要求5所述的方法，其中，所述第一方向和所述第二方向彼此不同。

7.如权利要求5所述的方法，其中，所述第二修整标记和所述第一修整标记由相同的图案化工艺形成。

8.如权利要求7所述的方法，其中，所述第二修整标记和所述第一修整标记具有相同或不同的形状。

9.如权利要求1或2所述的方法，其中，所述第二区域包括平面和三维表面中的一者或多者。

10.一种控制光阻(PR)修整工艺中的PR修整速率的方法，包括：

提供估计PR修整速率；

确定实际PR修整速率；

比较所述实际PR修整速率与所述估计PR修整速率，以确定所述实际PR修整速率与所述估计PR修整速率之间的差值；以及

响应于所述差值大于阈值，调整所述PR修整工艺中的一个或多个PR修整参数，使得所述实际PR修整速率与所述估计PR修整速率相同。

11.如权利要求10所述的方法，其中，对所述一个或多个PR修整参数的调整与所述差值的数值成比例。

12.一种控制光阻(PR)修整工艺中的PR修整速率，以形成三维存储结构的方法，包括：

形成绝缘体叠层于基底上，所述绝缘体叠层包括交替排列的多个牺牲材料层和多个绝缘材料层；

在所述绝缘体叠层上方修整PR层；

利用修整后的PR层作为蚀刻掩模，蚀刻所述绝缘体叠层，以形成多个阶梯；

为所述修整后的PR层形成第一修整标记；

沿着平行所述基底的顶面的第一方向，测量所述第一修整标记与所述修整后的PR层之间的第一距离，以确定所述PR修整工艺中沿着所述第一方向的实际PR修整速率；

将沿着所述第一方向的所述实际PR修整速率与沿着所述第一方向的估计PR修整速率比较，以确定沿着所述第一方向的所述实际PR修整速率与沿着所述第一方向的所述估计PR修整速率之间的第一差值；以及

基于所述第一差值，调整所述PR修整工艺中的一个或多个PR修整参数。