[发明专利]发光二极管封装件在审
| 申请号： | 201880005226.7 | 申请日： | 2018-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN110114892A | 公开（公告）日： | 2019-08-09 |
| 发明（设计）人： | 洪承植;竹谷元伸 | 申请（专利权）人： | 首尔半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/58 | 分类号： | H01L33/58;H01L33/48;H01L33/50;H01L33/44 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 李盛泉;孙昌浩 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 荧光体层 射出 发光二极管封装件 发光二极管芯片 红色光 滤色器层 蓝色光 紫外线 红色发光二极管芯片 蓝色发光二极管芯片 紫外线发光二极管 波长转换 荧光体 波长 涂覆 覆盖 芯片 外部 | ||
1.一种发光二极管封装件，其中，包括：
发光二极管芯片；
荧光体层，布置为覆盖所述发光二极管芯片的上部，并对从所述发光二极管芯片射出的光进行波长转换；以及
滤色器层，布置为覆盖所述荧光体层的上部，并且阻断通过所述荧光体层射出的光中的一部分波长的光。
2.根据权利要求1所述的发光二极管封装件，其中，
所述荧光体层布置为覆盖所述发光二极管芯片的侧面及上部，
所述滤色器层布置为覆盖所述荧光体层的侧面及上部。
3.根据权利要求1所述的发光二极管封装件，其中，
所述发光二极管芯片发出蓝色光或紫外线。
4.根据权利要求3所述的发光二极管封装件，其中，
所述荧光体层对从所述发光二极管芯片射出的蓝色光或紫外线进行波长转换而射出红色光。
5.根据权利要求4所述的发光二极管封装件，其中，
所述滤色器层阻断通过所述荧光体层射出的光中的蓝色光或紫外线。
6.根据权利要求1所述的发光二极管封装件，其中，
所述滤色器层的厚度为0.5μm至3μm。
7.根据权利要求1所述的发光二极管封装件，其中，
所述荧光体层包括一种以上的荧光体。
8.根据权利要求1所述的发光二极管封装件，其中，还包括：
壁部，布置于所述发光二极管芯片的侧面，反射从所述发光二极管芯片射出的光。
9.根据权利要求8所述的发光二极管封装件，其中，
所述荧光体层布置于所述发光二极管芯片及壁部的上部。
10.根据权利要求8所述的发光二极管封装件，其中，
所述壁部布置成与所述发光二极管芯片接触。
11.根据权利要求8所述的发光二极管封装件，其中，
所述壁部布置成与所述发光二极管芯片相隔。
12.根据权利要求11所述的发光二极管封装件，其中，
所述荧光体层布置为覆盖所述发光二极管芯片的侧面及上部，
所述滤色器层布置为覆盖所述荧光体层的侧面及上部，
所述壁部布置成与所述滤色器层的侧面接触。
13.根据权利要求12所述的发光二极管封装件，其中，
所述壁部的上表面与滤色器层的上表面是相同的平面。
14.根据权利要求1所述的发光二极管封装件，其中，
从所述发光二极管芯片发出的峰值波长为445nm至455nm。
15.根据权利要求1所述的发光二极管封装件，其中，
所述滤色器层通过旋转涂覆方式形成。
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