[发明专利]用于测试三维存储器设备的结构和方法

权利要求书

1.一种存储器设备，包括：

存储器阵列结构，包括：

存储器阵列堆叠；

贯穿阵列接触TAC，其垂直延伸穿过所述存储器阵列堆叠的至少一部分；以及

一个或多个存储器阵列接触；

第一介电质层，位于所述存储器阵列结构的正面；

多个第一接触，位于所述第一介电质层中；

多个导电衬垫，位于所述存储器阵列结构的背面；

互补金属氧化物半导体CMOS结构；

金属层，位于所述CMOS结构的正面，所述金属层包括多个金属图案；

第二介电质层，位于所述金属层上；以及

多个第二接触，位于所述第二介电质层中；

其中，所述第一介电质层和所述第二介电质层是面对面地连接的，使得所述存储器阵列结构在所述CMOS结构上方，并且至少通过所述多个导电衬垫、所述TAC、所述多个第一接触、所述多个第二接触、在所述金属层中的所述多个金属图案、以及所述一个或多个存储器阵列接触中的至少一个存储器阵列接触来形成一个或多个电连接。

2.根据权利要求1所述的存储器设备，其中，所述多个第一接触中的至少一个第一接触和所述多个第二接触中的至少一个第二接触形成接触信号路径。

3.根据权利要求2所述的存储器设备，其中，所述一个或多个存储器阵列接触包括字线接触和位线接触中的至少一者。

4.根据权利要求3所述的存储器设备，其中，所述多个导电衬垫、所述TAC、所述多个第一接触、所述多个第二接触、在所述金属层中的所述多个金属图案、以及所述字线是电连接的，以形成所述一个或多个电连接中的第一电连接，以测试多个接触信号路径。

5.根据权利要求3所述的存储器设备，其中，所述多个导电衬垫、所述TAC、所述多个第一接触、所述多个第二接触、在所述金属层中的所述多个金属图案、以及所述位线是电连接的，以形成所述一个或多个电连接中的第二电连接，以测试多个接触信号路径。

6.根据权利要求4或5所述的存储器设备，其中，所述多个接触信号路径是串联地连接的。

7.根据权利要求4或5所述的存储器设备，其中，所述多个接触信号路径中的至少一些接触信号路径是并联地连接的。

8.根据权利要求7所述的存储器设备，其中，所述多个接触信号路径的至少一半是并联地连接的。

9.根据权利要求1至5或8中的任何一个权利要求所述的存储器设备，其中，所述CMOS结构包括：电连接到所述金属层的测试电路。

10.根据权利要求9所述的存储器设备，其中，所述测试电路包括存储器阵列结构测试电路和接触信号路径测试电路中的至少一者。

11.根据权利要求10所述的存储器设备，其中，所述存储器阵列结构测试电路包括以下各项中的至少一项：存储器面测试电路、存储器块测试电路、位线测试电路、以及字线测试电路。

12.根据权利要求1至5、8、10或11中的任何一个权利要求所述的存储器设备，其中，所述存储器阵列结构还包括第三接触，其中，所述多个导电衬垫中的至少一个导电衬垫是通过所述第三接触电连接到所述TAC的。