[发明专利]用于使用自对准双图案化来切割密集线图案的方法和结构

权利要求书

1.一种用于采用第一掩模和第二掩模的结合进行自对准双重图案光刻（SADP）通过间隙壁图案转移来切割密集线图案以形成半导体结构的方法，包括：

在衬底上沉积绝缘层；

在所述绝缘层上沉积第一介电质层；

在所述第一介电质层上形成多个心轴线，所述心轴线包括垂直侧壁，所述垂直侧壁垂直于所述衬底的顶表面；

利用第一掩模在较大间距下切割所述心轴线以形成一组或多组不连续心轴线对，其中所述一组或多组中的每一组包括：

2N个的不连续心轴线对；以及

间隙线与间隙沟道的N个交叉，

其中N是整数；

在所述心轴线以及所述不连续心轴线对上沉积第二介电质层；

在所述心轴线以及所述不连续心轴线对的侧壁上形成介电质间隙壁；

移除所述心轴线以及所述不连续心轴线对，以形成间隙壁掩模；

使用第二掩模来形成一组或多组阻挡区；

利用所述间隙壁掩模和所述第二掩模的结合，形成延伸穿过所述第一介电质层的多个开口；

移除所述间隙壁掩模和所述第二掩模，以暴露所述第一介电质层的顶表面；

在所述开口中沉积目标材料；以及

形成具有顶表面与所述第一介电质层的顶表面位于同一平面的目标线，

其中，所述一组或多组不连续心轴线对还包括：

2M个不连续心轴线对；以及

多个间隙线与间隙沟道的M个交叉，

其中，M是与N不同的整数，

并且其中，与所述心轴线的较大间距相比较，密集线具有更小的间距。

2.如权利要求1所述的方法，其中，形成一组不连续心轴线对的步骤包括：

暴露出2N个相邻心轴线的一部分；

移除所述2N个相邻心轴线的暴露部分；以及

形成与所述心轴线平行的所述间隙线、以及垂直于所述心轴线的所述间隙沟道。

3.如权利要求1所述的方法，其中，使用所述第二掩模来形成一组阻挡区的步骤包括：

在所述间隙线和所述间隙沟道的N个交叉上沉积所述第二掩模；以及

利用所述阻挡区，使所述间隙线和所述间隙沟道不连接。

4.如权利要求1所述的方法，其中，通过所述第二掩模形成的所述阻挡区被形成为沿着所述间隙壁掩模的方向进行延伸，并包括与位于所述交叉处的各个所述间隙线相邻的各个所述间隙壁掩模的至少一部分。

5.如权利要求1所述的方法，其中，通过所述第二掩模形成的所述阻挡区被形成为包括不大于两个相邻心轴线之间距离的宽度。

6.如权利要求1所述的方法，其中，所述第一介电质层和第二介电质层被形成为包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅或其组合。

7.如权利要求1所述的方法，其中，所述目标材料被形成为包括半导体或导体。

8.如权利要求7所述的方法，其中，所述导体被形成为包括钨（tungsten）、钴（cobalt）、铜（copper）或铝（aluminum）。

9.如权利要求7所述的方法，其中，所述半导体被形成为包括硅、硅化锗（silicongermanium）、多晶硅、多晶硅锗、非晶硅或非晶硅锗。

10.如权利要求1所述的方法，其中，所述目标线被形成为包括范围在19 nm与29 nm之间的宽度。

11.如权利要求1所述的方法，其中，所述目标线被形成为包括范围在10 nm与20 nm之间的间隙。