[发明专利]半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201880005380.4 | 申请日： | 2018-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN110114861B | 公开（公告）日： | 2022-05-31 |
| 发明（设计）人： | 吉村尚;泷下博;宫原清一 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265;H01L21/329;H01L29/739;H01L29/78;H01L29/861;H01L29/868 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 张欣;金玉兰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：
第1形成工序，在半导体基板的正面形成元件结构；
第2形成工序，在所述半导体基板的正面形成抗蚀保护膜，用所述抗蚀保护膜保护所述元件结构；
第3形成工序，从所述半导体基板的背面导入杂质而在所述半导体基板的背面侧形成扩散区；
激光退火工序，通过从所述半导体基板的背面照射激光而将所述半导体基板的背面侧加热，从而使所述杂质活化；以及
除去工序，除去所述抗蚀保护膜，
所述半导体装置的制造方法在所述激光退火工序之前还包括烘烤工序，所述烘烤工序以100℃以上的温度将所述抗蚀保护膜加热，使所述抗蚀保护膜中的水蒸发，
在所述第3形成工序之后进行所述烘烤工序。
2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在所述烘烤工序中，以小于所述抗蚀保护膜的耐热温度的温度将所述抗蚀保护膜加热。
3.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在所述烘烤工序中，以200℃以下的温度将所述抗蚀保护膜加热。
4.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在所述第2形成工序之后且所述第3形成工序之前还包括薄板化工序，所述薄板化工序是从背面对所述半导体基板进行磨削而将所述半导体基板的厚度减薄的工序，
在所述第3形成工序中，从所述半导体基板的磨削后的背面导入所述杂质。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述第2形成工序包括：
涂布工序，在所述半导体基板的正面涂布抗蚀剂而形成所述抗蚀保护膜；以及
预烘烤工序，将所述抗蚀保护膜加热而使所述抗蚀保护膜中的溶剂蒸发。
6.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述烘烤工序中的所述抗蚀保护膜的加热以与所述预烘烤工序中的所述抗蚀保护膜的加热相同的条件进行。
7.根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述薄板化工序进行：
在所述抗蚀保护膜的整个上表面贴附保护胶带的工序；以及
使所述保护胶带平坦化的工序，
从背面对所述半导体基板进行磨削而将所述半导体基板的厚度减薄。
8.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述保护胶带在所述烘烤工序之前剥离。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士电机株式会社，未经富士电机株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201880005380.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
