[发明专利]半导体辐射检测器有效
申请号: | 201880006165.6 | 申请日: | 2018-01-08 |
公开(公告)号: | CN110462443B | 公开(公告)日: | 2023-05-16 |
发明(设计)人: | 汉斯·安德森 | 申请(专利权)人: | 牛津仪器技术公司 |
主分类号: | G01T1/29 | 分类号: | G01T1/29;H01L31/02;H01L31/0203 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 黄刚;张建涛 |
地址: | 芬兰*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 辐射 检测器 | ||
1.一种半导体辐射检测器组件,包括被布置在集管上的检测器头,
其中所述检测器头包括:
检测器芯片,所述检测器芯片具有前侧和后侧,所述前侧用于接收辐射,其中所述检测器芯片包括硅漂移检测器SDD;以及
柔性衬底,所述柔性衬底包括中央部分、多个导电轨迹和多个条带,所述中央部分的前侧被附接到所述检测器芯片的所述后侧,所述多个条带从所述中央部分延伸,并且弯曲成离开所述检测器芯片突出,其中所述检测器芯片被电联接到至少一个所述导电轨迹,
其中所述集管包括基板,所述基板具有从所述基板朝向所述检测器芯片突出的多个接触销,并且
其中所述多个导电轨迹分别在相应的所述条带的表面上从所述中央部分朝向所述条带的被附接到所述多个接触销中的相应接触销的远端延伸,用于在所述检测器头与所述集管之间电联接,且用于在所述检测器头与所述集管之间机械附接。
2.根据权利要求1所述的半导体辐射检测器组件,其中在导电轨迹和接触销之间的电联接包括以下之一:
软钎焊连接;
熔焊连接;
通过导电胶的连接。
3.根据权利要求1所述的半导体辐射检测器组件,其中在导电轨迹和接触销之间的电联接包括线结合连接。
4.根据权利要求1所述的半导体辐射检测器组件,其中所述多个导电轨迹包括:
第一导电轨迹,所述第一导电轨迹在所述柔性衬底的后表面上从所述中央部分朝向所述条带的所述远端延伸,
第二导电轨迹,所述第二导电轨迹被设置在所述柔性衬底的前表面上,且被设置在所述条带的所述远端处或被设置得靠近所述条带的所述远端,用于电联接到所述多个接触销;以及
在每一个条带中穿过所述柔性衬底的导电通路,所述导电通路用于在所述第一导电轨迹和所述第二导电轨迹中的相应的导电轨迹之间的电连接。
5.根据权利要求1所述的半导体辐射检测器组件,其中通过在所述柔性衬底的所述中央部分中的开口,设置在所述检测器芯片和至少一个所述导电轨迹之间的电联接。
6.根据权利要求1所述的半导体辐射检测器组件,其中所述柔性衬底包括柔性印刷电路板PCB,所述柔性印刷电路板PCB包括柔性金属层,所述柔性金属层被布置在聚合物层上,其中所述金属层被图案化以形成所述导电轨迹。
7.根据权利要求1所述的半导体辐射检测器组件,其中所述柔性衬底经由间隔件被附接到所述检测器芯片,以增加在所述柔性衬底和所述检测器芯片之间的距离。
8.根据权利要求7所述的半导体辐射检测器组件,其中所述间隔件包括至少一个层,所述至少一个层包括零个或更多个金属层以及零个或更多个陶瓷层。
9.根据权利要求1至8中的任一项所述的半导体辐射检测器组件,其中所述柔性衬底设有刚性部分,所述刚性部分构成所述中央部分的至少一部分。
10.一种用于提供半导体辐射检测器组件的方法,所述半导体辐射检测器组件包括被布置在集管上的检测器头,其中所述检测器头包括检测器芯片和柔性衬底,其中所述检测器芯片包括硅漂移检测器SDD,并且其中所述集管包括基板,所述基板具有从所述基板朝向所述检测器芯片突出的多个接触销,所述方法包括:
在一片柔性衬底材料的至少一个表面的期望位置上布置导电轨迹;
将所述一片柔性衬底材料切割成具有如下形状的所述柔性衬底,所述形状包括中央部分和多个条带,所述中央部分用于将所述检测器芯片附接在第一侧上,所述多个条带从所述中央部分延伸,并且所述多个条带具有在至少一个表面上从所述中央部分朝向所述条带的远端延伸的相应的导电轨迹;
将所述条带弯曲成离开所述柔性衬底的所述第一侧突出;
将所述检测器芯片附接到所述柔性衬底的所述中央部分的所述第一侧,并且在所述检测器芯片和至少一个所述导电轨迹之间创建电连接;以及
将在所述条带的所述远端中的所述导电轨迹附接到所述多个接触销中的相应的接触销,以在所述检测器头与所述集管之间提供机械附接并在所述检测器头与所述集管之间提供电联接。
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