[发明专利]用于单壁碳纳米管应用的可分解的S-四嗪类聚合物

权利要求书

1.一种纯化用共轭聚合物萃取的半导体单壁碳纳米管(sc-SWCNT)的方法，该方法包括在经处理的sc-SWCNT分散体中使所述共轭聚合物与s-四嗪类聚合物进行交换的步骤，所述经处理的sc-SWCNT分散体包含与所述sc-SWCNT结合的所述共轭聚合物，

其中所述s-四嗪类聚合物具有以下结构：

其中A为O、S、Se或C＝C；n为1至4的整数；R₁独立地为H、F、CN或C₁-C₂₀直链或支链的脂肪族基团；Ar为一个或多个取代或未取代的芳香族单元；并且，m为5以上的整数。

2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括通过光照射或热处理分解所述s-四嗪类聚合物的步骤；然后除去分解产物的步骤。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述s-四嗪类聚合物为PBDTFTz：

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述s-四嗪类聚合物为PDTSTTz：

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述s-四嗪类聚合物为：

并且其中：R₁和R₂＝2-乙基己基；或者R₁＝2-乙基己基，而R₂＝己基；或者R₁＝己基，而R₂＝2-乙基己基；或者R₁和R₂＝己基；或者R₁＝甲基，而R₂＝2-乙基己基。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述s-四嗪类聚合物为PCPDTFTz：

其中Ar＝环戊二烯并[2,1-b；3.4-b’]二噻吩。

7.根据权利要求2所述的方法，其中通过冲洗或蒸发除去所述分解产物。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述共轭聚合物包括聚芴。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述共轭聚合物包括聚噻吩。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述共轭聚合物为聚(9,9-二-正十二烷基芴)(PFDD)。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的方法，其中所述共轭聚合物与所述sc-SWCNT的重量比的最大值为2。

12.根据权利要求1至10中任一项所述的方法，其中所述s-四嗪类聚合物与所述sc-SWCNT的重量比的最大值为4。

13.根据权利要求1至10中任一项所述的方法，其中所述s-四嗪类聚合物与所述sc-SWCNT的重量比为1至4。

14.根据权利要求1所述的方法，用于薄膜晶体管的制造。

15.包含与半导体单壁碳纳米管(sc-SWCNT)结合的s-四嗪类聚合物的分散体在用于制造选自由薄膜晶体管和化学传感器组成的组中的电子器件中的用途，

所述s-四嗪类聚合物具有以下结构：

其中，A为O、S、Se或C＝C；n为1至4的整数；R₁独立地为H、F、CN或C₁-C₂₀直链或支链的脂肪族基团；Ar为一个或多个取代或未取代的芳香族单元；并且，m为5以上的整数。