[发明专利]陶瓷电路基板的制造方法

权利要求书

1.制造陶瓷电路基板的方法，所述陶瓷电路基板具备陶瓷基材、和形成于所述陶瓷基材上的金属电路，所述金属电路具有：包含铝或铝合金中的至少一者的第一金属层、和包含铜或铜合金中的至少一者的第二金属层，

所述方法包括下述工序：

将包含铝粒子或铝合金粒子中的至少一者的第一金属粉体与非活性气体一起从喷嘴向陶瓷基材的表面吹喷，由此形成与所述陶瓷基材接触的所述第一金属层的工序，其中，所述第一金属粉体被加热至10～270℃后从所述喷嘴喷出，所述喷嘴的入口处的所述非活性气体的表压为1.5～5.0MPa；

在非活性气体气氛下对形成于所述陶瓷基材上的所述第一金属层进行加热处理的工序；

将包含铜粒子或铜合金粒子中的至少一者的第二金属粉体与非活性气体一起从喷嘴向所述第一金属层的表面吹喷，由此形成与所述第一金属层接触的所述第二金属层的工序，其中，所述第二金属粉体被加热至10～650℃后从所述喷嘴喷出，所述喷嘴的入口处的所述非活性气体的表压为1.5～5.0MPa，以所述第一金属层的端面与所述第二金属层的端面处于同一平面内、或者所述第一金属层的端面比所述第二金属层的端面更向外侧突出的方式形成所述第二金属层，并且，所述第二金属粉体中的铜以外的金属元素的含量相对于所述第二金属粉体的质量而言为6.0质量％以下；及

在非活性气体气氛下对形成于所述第一金属层上的所述第二金属层进行加热处理的工序，

在非活性气体气氛下对所述第二金属层进行加热处理的所述工序中，所述第二金属层被加热至250～300℃。

2.如权利要求1所述的方法，其中，在非活性气体气氛下对所述第一金属层进行加热处理的所述工序中，所述第一金属层被加热至400～600℃。

3.如权利要求1或2所述的方法，其中，所述第一金属粉体及所述第二金属粉体的平均粒径为10～70μm。

4.如权利要求1或2所述的方法，其中，形成所述第一金属层的工序、及形成所述第二金属层的工序中，在所述陶瓷基材上配置覆盖其表面的一部分的掩蔽材料，由此形成具有图案的所述第一金属层及所述第二金属层。