[发明专利]化学增幅型光致抗蚀剂组合物和使用其的光致抗蚀剂膜

说明书

本公开内容涉及化学增幅型光致抗蚀剂组合物和使用其的光致抗蚀剂膜，所述化学增幅型光致抗蚀剂组合物能够使由所述组合物获得的光致抗蚀剂的开裂最小化并提高对基底的粘合性和感光度。

技术领域

相关申请的交叉引用

本申请要求于2017年11月1日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2017-0144766号的权益，其公开内容通过引用整体并入本文。

本公开内容涉及化学增幅型光致抗蚀剂组合物和使用其的光致抗蚀剂膜。更具体地，本公开内容涉及这样的化学增幅型光致抗蚀剂组合物和使用其的光致抗蚀剂膜，所述化学增幅型光致抗蚀剂组合物能够使由所述组合物获得的光致抗蚀剂的开裂最小化并提高对基底的粘合性和感光度。

背景技术

光加工是微加工技术的支柱，并且封装技术不断变化为用于制造高密度封装的工艺。

具体地，随着半导体的输入/输出端的数量增加，已扩展倒装芯片技术的使用并且已引入扇出型晶圆级封装(fan-out wafer level packaging，FOWLP)技术。此外，已扩展使得能够实现直接芯片至芯片连接以使信号延迟最小化的TSV(through silicon via，硅通孔)工艺，并且对凸起(bump)的需求增加。因此，开发用于形成凸起的凸起光致抗蚀剂的技术被认为是重要的。

凸起光致抗蚀剂要求：(i)在高达10微米至100微米的厚膜中的优异的感光度和分辨率；(ii)良好的图案性能，例如平直度、残留特性、基脚和切口特性，以通过镀覆过程形成金属凸起；以及(iii)对镀覆液的优异的耐受性。

因此，化学增幅型光致抗蚀剂用于提高厚膜中的感光度和分辨率。通常，化学增幅型光致抗蚀剂组合物包含：(a)树脂，其通过酸离解以增加在碱性显影剂中的溶解度，(b)光敏产酸剂(光致产酸剂)，(c)酸扩散控制剂，(d)腐蚀抑制剂，和(e)溶解抑制剂。

然而，在由常规化学增幅型光致抗蚀剂组合物获得的光致抗蚀剂的情况下，随着厚度增加，在光致抗蚀剂上产生开裂，并且对基底的粘合性和感光度降低。

因此，需要开发不仅能够提高光致抗蚀剂的抗裂性，而且能够提高对基底的粘合性和感光度的新的化学增幅型光致抗蚀剂组合物。

发明内容

技术问题

本公开内容提供了一种化学增幅型光致抗蚀剂组合物，所述化学增幅型光致抗蚀剂组合物能够使由所述组合物获得的光致抗蚀剂的开裂最小化并提高对基底的粘合性和感光度。

此外，本公开内容提供了一种使用所述化学增幅型光致抗蚀剂组合物的光致抗蚀剂膜。

技术方案

在本公开内容中，提供了包含由以下化学式1表示的基于三唑的增塑剂和可碱性显影树脂的化学增幅型光致抗蚀剂组合物。

[化学式1]

在化学式1中，

A₁为C1至C10亚烷基或由以下化学式2表示的聚亚烷基氧基，

X₁为C1至C5烷基、羟基或羧基，

R₁为化合价为1至5的有机官能团，

R₂为氢、C1至C5烷基、羟基或羧基，以及

p为1至5的整数，

[化学式2]