[发明专利]高阶节点工艺后端处理的蚀刻后残留物去除

权利要求书

1.一种清洁组合物，其包括：(a)浓缩物，其包括至少一种金属腐蚀抑制剂、至少一种蚀刻剂来源、至少一种二氧化硅来源、至少一种螯合剂、和至少一种溶剂，和(b)至少一种氧化剂，其中所述清洁组合物适合于从其上具有蚀刻后残留物和含铝材料的微电子装置的表面去除所述蚀刻后残留物和含铝材料。

2.根据权利要求1所述的清洁组合物，其中所述蚀刻后残留物包括选自由含钛残留物、聚合物残留物、含铜残留物、含钴残留物、含硅残留物及其组合组成的群组的至少一种物质。

3.根据权利要求1所述的清洁组合物，其中所述至少一种蚀刻剂来源包括氢氧化铵或氢氧化四烷基铵。

4.根据权利要求3所述的清洁组合物，其中所述至少一种蚀刻剂来源包括氢氧化胆碱。

5.根据权利要求1所述的清洁组合物，其中所述至少一种金属腐蚀抑制剂包括1,2,4-三唑TAZ、5-甲基-苯并三唑mBTA、甲苯基三唑、或其组合。

6.根据权利要求1所述的清洁组合物，其中所述至少一种螯合剂是乙二胺四乙酸EDTA、1,2-环己二胺-N,N,N′,N′-四乙酸CDTA、1-羟基亚乙基-1,1-二膦酸HEDP、草酸、或4-甲基吗啉-N-氧化物NMMO。

7.根据权利要求6所述的清洁组合物，其中所述至少一种螯合剂是1,2-环己二胺-N,N,N′,N′-四乙酸CDTA、1-羟基亚乙基-1,1-二膦酸HEDP、或4-甲基吗啉-N-氧化物NMMO。

8.根据权利要求1所述的清洁组合物，其中所述至少一种二氧化硅来源包括氟硅酸(H₂SiF₆)。

9.根据权利要求8所述的清洁组合物，其中所述氟硅酸是通过组合至少一种氟化物来源及至少一种含硅化合物而原位制备。

10.根据权利要求1所述的清洁组合物，其中所述至少一种氧化剂包括过氧化氢。

11.根据权利要求1所述的清洁组合物，其中所述清洁组合物包括10份浓缩物与介于约0.1份到约1份之间的氧化剂。

12.根据权利要求1所述的清洁组合物，其中所述至少一种氧化剂的量以所述清洁组合物的总重量计是小于约10重量％。

13.根据权利要求1所述的清洁组合物，其中所述至少一种溶剂包括水。

14.根据权利要求1所述的清洁组合物，其中所述微电子装置包括含钴层、低k介电层和铜。

15.一种从微电子装置去除材料的方法，所述微电子装置上具有所述材料，所述方法包括：

使所述微电子装置的表面与清洁组合物接触，所述清洁组合物包括：(a)浓缩物，其包括至少一种金属腐蚀抑制剂、至少一种蚀刻剂来源、至少一种二氧化硅来源、至少一种螯合剂、和至少一种溶剂，和(b)至少一种氧化剂，和

从所述微电子装置至少部分去除蚀刻后残留物和含铝材料，其中所述微电子装置包括含钴层、低k介电层和铜。

16.根据权利要求15所述的方法，其中所述清洁组合物大致上不损坏所述含钴层、低k介电层和铜。

17.一种包括一个或多个容器的试剂盒，所述一个或多个容器中具有用于从微电子装置至少部分去除蚀刻后残留物和含铝材料的成分，其中所述试剂盒的第一容器含有浓缩物，所述浓缩物包括至少一种金属腐蚀抑制剂、至少一种蚀刻剂来源、至少一种二氧化硅来源、至少一种螯合剂和至少一种溶剂。