[发明专利]沸石膜和分离膜在审
申请号: | 201880007165.8 | 申请日: | 2018-01-16 |
公开(公告)号: | CN110198916A | 公开(公告)日: | 2019-09-03 |
发明(设计)人: | 石川真二;俵山博匡;奥野拓也;斋藤崇广;近江靖则;上野恭平 | 申请(专利权)人: | 住友电气工业株式会社;国立大学法人岐阜大学 |
主分类号: | C01B39/38 | 分类号: | C01B39/38;B01D69/10;B01D69/12;B01D71/02 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 王海川;张泉陵 |
地址: | 日本大阪*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 沸石膜 晶格面 衍射峰 衍射角 归属 无机氧化物 多孔基材 分离膜 基准时 射线源 衍射 图谱 | ||
一种沸石膜,其为在无机氧化物多孔基材上形成的MFI型沸石膜,其中,在所述沸石膜的通过以CuKα射线作为射线源的X射线衍射测定得到的衍射图谱中,在以衍射角7.3°~8.4°处显示的、晶格面归属于011和/或101面的衍射峰的强度为基准时,在衍射角8.4°~9.0°处显示的、晶格面归属于200和/或020面的衍射峰的强度为0.3以上。
技术领域
本发明涉及沸石膜和在无机氧化物多孔基材上形成了沸石膜的分离膜。
本申请要求基于2017年1月18日申请的日本申请第2017-6851 号的优先权,并援引上述日本申请中记载的全部记载内容。
背景技术
专利文献1公开了一种利用水蒸气对含有沸石晶种、有机结构导向剂和二氧化硅的膜状物进行处理而形成MFI型沸石膜,从而得到分离膜的方法。
专利文献2公开了一种沸石膜,其中,在XRD测定中,所述沸石膜的来自020面的散射强度/来自101面的散射强度大于3.3,并且来自 020面的散射强度/来自002面或102面的散射强度大于4.4。
专利文献3公开了一种沸石膜,其中,在XRD测定中,所述沸石膜的来自002面散射强度/来自020面的散射强度为2以上,来自002 面的散射强度/来自101面的散射强度为0.5~1.5,来自101面的散射强度/来自501面的散射强度为1.5以上,并且来自303面的散射强度/ 来自501面的散射强度为2以上。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2001-31416号公报
专利文献2:日本特开2004-2160号公报
专利文献1:国际公开第2007/58388号
发明内容
本发明的一个方式的沸石膜为
在无机氧化物多孔基材上形成的MFI型沸石膜,其中,
在所述沸石膜的通过以CuKα射线作为射线源的X射线衍射测定得到的衍射图谱中,
在以衍射角7.3°~8.4°处显示的、晶格面归属于011和/或101面的衍射峰的强度为基准时,
在衍射角8.4°~9.0°处显示的、晶格面归属于200和/或020面的衍射峰的强度为0.3以上。
另外,关于本发明的一个方式的分离膜,在包含含有90质量%以上的SiO2的非晶质体的无机氧化物多孔基材上具有本发明的一个实施方式的沸石膜。
附图说明
图1为表示本发明的实施方式的分离膜的构成的图。
图2为表示本发明的实施方式的制造方法的流程的图。
图3a为表示例1中的通过不同的水添加量合成的膜的XRD图谱的图。
图3b为表示例1中的通过不同的水添加量合成的膜的结晶度的图。
图4为表示例1的通过不同的水添加量合成的膜的SEM图像的图。
图5a为表示例2的通过不同的合成时间合成的膜的XRD图谱的图。
图5b为表示例2的通过不同的合成时间合成的膜的结晶度的图。
图6为例2的通过不同的合成时间合成的膜的SEM图像(其一)。
图7为例2的通过不同的合成时间合成的膜的SEM图像(其二)。
图8为表示评价分离膜的透过性能的装置的一例的示意图。
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