[发明专利]隧道磁阻元件的制造方法

权利要求书

1.一种隧道磁阻元件的制造方法，在该隧道磁阻元件中，由磁化朝向被固定的固定磁性层、受到来自外部的磁场的影响而磁化朝向发生变化的自由磁性层以及被配置于所述固定磁性层与所述自由磁性层之间的绝缘层形成磁隧道结，根据所述固定磁性层的磁化朝向与所述自由磁性层的磁化朝向的角度差通过隧道效应使绝缘层的电阻变化，所述隧道磁阻元件的制造方法具备：

层叠工序，在基板上，按照所述固定磁性层、所述绝缘层的顺序层叠，进而与该绝缘层的上表面相接地层叠CoFeB层，与该CoFeB层的上表面相接地层叠由吸收B的材料形成的正上方B吸收层，包括该正上方B吸收层在内且在所述CoFeB层之上改换材料来层叠2层以上；

磁场中热处理工序，对经过了所述层叠工序的层叠体一边施加规定方向的外部磁场一边进行热处理，将构成自由磁性层的所述CoFeB层的易磁化轴与所述固定磁性层的易磁化轴形成为同方向；以及

干法蚀刻工序，从经过了所述磁场中热处理工序的层叠体去除包括所述正上方B吸收层为止的部分，

在所述干法蚀刻工序中，应用干法蚀刻装置以及识别由该干法蚀刻装置蚀刻的被蚀刻面的材料的分析装置，将由所述干法蚀刻装置进行的蚀刻的结束设为由所述分析装置检测出所述正上方B吸收层暴露之前的最终层减少至规定的水平或者所述正上方B吸收层增加至规定的水平的终点检测时，

预先确定好所述分析装置的终点检测时之后的所述干法蚀刻装置的过蚀刻量，在所述层叠工序中，使从所述规定的水平到所述CoFeB层的上表面为止以仅与该过蚀刻量相当的层厚层叠所述正上方B吸收层。

2.根据权利要求1所述的隧道磁阻元件的制造方法，其中，

所述层叠工序中的所述CoFeB层之上的2层以上的层叠部分包括由吸收B的材料形成的B吸收层和覆盖在该B吸收层上的加工用盖层。

3.根据权利要求2所述的隧道磁阻元件的制造方法，其中，

所述层叠工序中的所述B吸收层包括所述正上方B吸收层在内且改换材料来形成为2层以上。

4.根据权利要求3所述的隧道磁阻元件的制造方法，其中，

在所述磁场中热处理工序中，经过由所述B吸收层进行的对来自所述CoFeB层的B的吸收而达成期望的TMR比。

5.根据权利要求1至4中的任意一项所述的隧道磁阻元件的制造方法，其中，

在通过所述干法蚀刻工序暴露出的所述CoFeB层之上将软磁性层成膜。