[发明专利]用于形成微细相分离图案的下层膜形成用组合物

权利要求书

1.一种下层膜形成用组合物，是为了使在基板上形成的包含嵌段共聚物的层相分离而使用的下层膜形成用组合物，该组合物包含下述所示的共聚物，所述共聚物包含：

(A)来源于含有叔丁基的苯乙烯化合物的单元结构，

(B)来源于不含有羟基的含有芳香族结构的乙烯基化合物、并且除所述(A)以外的单元结构，

(C)来源于含有(甲基)丙烯酰基且不含有羟基的化合物的单元结构，

(D)来源于含有交联形成基的化合物的单元结构，

相对于该共聚物整体的共聚比为，(A)25～90摩尔％，(B)大于0摩尔％且小于等于65摩尔％，(C)0～65摩尔％，(D)10～20摩尔％，并且(A)+(B)+(C)之中，包含芳香族结构的单元结构为81～90摩尔％。

2.根据权利要求1所述的组合物，所述嵌段共聚物是使下述不含硅聚合物与下述含硅聚合物结合而成的嵌段共聚物，

所述不含硅聚合物是以可以被有机基取代的苯乙烯作为结构单元的不含硅聚合物或以来源于丙交酯的结构作为结构单元的不含硅聚合物，

所述含硅聚合物是以被含硅基团取代了的苯乙烯作为结构单元的含硅聚合物。

3.根据权利要求1所述的组合物，所述来源于含有叔丁基的苯乙烯化合物的单元结构(A)由式(1)表示，

在式(1)中，R¹～R³之中的1个或2个为叔丁基。

4.根据权利要求1所述的组合物，所述来源于含有交联形成基的化合物的单元结构(D)由式(2-1)、式(2-2)、式(3-1)或式(3-2)表示，

在式(2-1)和式(2-2)中，n个X各自独立地表示羟基、卤原子、烷基、烷氧基、氰基、酰胺基、烷氧基羰基、或烷硫基，n表示1～7的整数；

在式(3-1)和式(3-2)中，

R⁴表示氢原子或甲基，

R⁵表示具有羟基并且可以被卤原子取代的碳原子数1～10的直链、支链或环状烷基、或羟基苯基。

5.根据权利要求1所述的组合物，所述来源于不含有羟基的含有芳香族结构的乙烯基化合物、并且除所述(A)以外的单元结构(B)由式(4-1)或式(4-2)表示，

在式(4-1)和式(4-2)中，n个Y各自独立地表示卤原子、烷基、烷氧基、氰基、酰胺基、烷氧基羰基、或烷硫基，n表示0～7的整数。

6.根据权利要求1所述的组合物，所述来源于含有(甲基)丙烯酰基且不含有羟基的化合物的单元结构(C)由式(5-1)或式(5-2)表示，

在式(5-1)和式(5-2)中，R⁹表示氢原子或甲基，R¹⁰各自独立地表示氢原子、碳原子数1～5的烷氧基、可以被卤原子取代的碳原子数1～10的直链、支链或环状烷基、苄基、或蒽甲基。

7.根据权利要求1所述的组合物，所述来源于不含有羟基的含有芳香族结构的乙烯基化合物、并且除所述(A)以外的单元结构(B)为来源于乙烯基萘的单元结构。

8.一种嵌段共聚物的相分离图案制造方法，其包含下述工序：

(1)使用权利要求1～7中任一项所述的组合物，在基板上形成下层膜的工序；

(2)在所述下层膜上形成嵌段共聚物层的工序；以及

(3)使在所述下层膜上形成的嵌段共聚物层相分离的工序。

9.根据权利要求8所述的制造方法，在所述(2)工序与所述(3)工序之间，进一步包含在嵌段共聚物层上形成上层膜的工序。