[发明专利]硅酮系杂化聚合物包覆AlN填料在审
| 申请号： | 201880007733.4 | 申请日： | 2018-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN110198992A | 公开（公告）日： | 2019-09-03 |
| 发明（设计）人： | 佐藤绿;信藤卓也;堀口恭;手塚宏茂 | 申请（专利权）人： | 日本山村硝子株式会社;古河电子株式会社 |
| 主分类号： | C09C1/40 | 分类号： | C09C1/40;C01B21/072;C09C3/10;C09C3/12 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 曹阳 |
| 地址： | 日本国兵*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 杂化聚合物 硅酮 包覆 耐热性 饱和水蒸气压 电导率 离子交换水 表面包覆 平均粒径 散热材料 散热构件 特性劣化 填料表面 包覆的 氮化铝 导热率 高导热 水解 | ||
1.一种硅酮系杂化聚合物包覆AlN填料，是以表面由硅酮系杂化聚合物包覆的氮化铝作为主成分的填料，
向离子交换水50mL加入平均粒径20μm～40μm的该填料5g，在121℃的饱和水蒸气压下保持50小时后的水的电导率为350μS/cm以下。
2.根据权利要求1所述的硅酮系杂化聚合物包覆AlN填料，其中，
向离子交换水50mL加入平均粒径20μm～40μm的该填料5g，在121℃的饱和水蒸气压下保持50小时后的水的pH值为10以下。
3.根据权利要求1或2所述的硅酮系杂化聚合物包覆AlN填料，其中，
所述硅酮系杂化聚合物为包含以下述通式(1)表示的数均分子量Mn为500～3000的聚二甲基硅氧烷与以下述通式(2)表示的四烷氧基硅烷低聚物和/或其水解物的反应产物的固化物；
m为能够满足数均分子量Mn＝500～3000的整数，一定范围的整数m的分子混杂存在；
n表示4～10的整数，R表示碳原子数1～3的烷基。
4.根据权利要求3所述的硅酮系杂化聚合物包覆AlN填料，其中，
以所述通式(1)表示的聚二甲基硅氧烷的数均分子量Mn为600～2000。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的硅酮系杂化聚合物包覆AlN填料，其平均粒径为25μm～35μm。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的硅酮系杂化聚合物包覆AlN填料，其中，
由所述硅酮系杂化聚合物包覆的AlN填料与所述硅酮系杂化预聚物的质量比是，相对于AlN填料100质量份而言硅酮系杂化预聚物为2质量份～10质量份。
7.一种散热构件，其包含权利要求1至6中任一项所述的硅酮系杂化聚合物包覆AlN填料。
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