[发明专利]半导体器件和包括该半导体器件的半导体器件封装

权利要求书

1.一种半导体器件，包括

第一导电半导体层；

第二导电半导体层；

有源层，设置在第一导电半导体层和第二导电半导体层之间；

第一电极，电连接到第一导电半导体层；以及

第二电极，电连接到第二导电半导体层，

其中，第一导电半导体层包括第一子半导体层，

第三子半导体层，以及

第二子半导体层，设置在第一子半导体层和第三子半导体层之间，

第一子半导体层中的铝的比例和第三子半导体层中的铝的比例二者的每一个均大于有源层中的铝的比例，

第二子半导体层中的铝的比例小于第一子半导体层中的铝的比例和第三子半导体层中的铝的比例的每一个，

第二导电半导体层包括电流注入层，在所述电流注入层中，铝的比例在远离有源层的方向上减小，

第一电极设置在第二子半导体层上，

第二电极设置在电流注入层上，并且

第二子半导体层的铝的比例的平均值与电流注入层的铝的比例的平均值的比率在1：0.12至1：1.6的范围内。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二子半导体层的厚度在100nm至400nm的范围内。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

第二子半导体层包括在厚度方向上铝的比例减少的第一部分和铝的比例增加的第二部分。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二子半导体层中铝的比例小于有源层中铝的比例的部分的厚度为100nm或更小。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二子半导体层包括铝的比例不同的第一晶格层和第二晶格层。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，第一晶格层中铝的比例在30％至70％的范围内，以及

第二晶格层中铝的比例在40％至88％的范围内。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，第一晶格层和第二晶格层的每一个包括在厚度方向上铝的比例减少的第一部分和铝的比例增加的第二部分。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述电流注入层包括第四子半导体层，在所述第四子半导体层上设置第二电极，

其中，第四子半导体层比第二子半导体层薄。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二子半导体层中的铝的平均比例大于第四子半导体层中的铝的平均比例。

10.根据权利要求8所述的半导体器件，其中：

电流注入层包括第五子半导体，设置在第四子半导体层和有源层之间；并且

第四子半导体层中的铝的比例和第五子半导体中的铝的比例二者的每一个在远离有源层的方向上减小。

11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，所述第四子半导体层中的铝的下降率大于所述第五子半导体中的铝的下降率。

12.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二子半导体层包括在厚度方向上铝的比例小于有源层中的铝的比例的部分。

13.根据权利要求12所述的半导体器件，其中，所述第一导电半导体层的总厚度与所述第二子半导体层的厚度的比率在1：0.05至1：0.4的范围内。