[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 201880008015.9 | 申请日： | 2018-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN110214380A | 公开（公告）日： | 2019-09-06 |
| 发明（设计）人： | 李建和;朴修益;李容京;金伯俊;金明燮 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/10;H01L33/36;H01L33/62;H01L33/58;H01L27/15;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 达小丽;夏凯 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光结构 电连接 源层 第二电极 第一电极 上表面 第一导电类型 半导体器件 导电类型 结合焊盘 | ||
1.一种半导体器件，包括：
第一发光结构，所述第一发光结构包括第一导电类型的第一DBR层、在所述第一DBR层上布置的第一有源层、以及在所述第一有源层上布置的第二导电类型的第二DBR层；
第二发光结构，所述第二发光结构被布置成与所述第一发光结构间隔开并且包括第一导电类型的第三DBR层、在所述第三DBR层上布置的第二有源层、以及在所述第二有源层上布置的第二导电类型的第四DBR层；
第一电极，所述第一电极被电连接到所述第一DBR层和所述第三DBR层，并且被布置在所述第一发光结构和所述第二发光结构之间；
第二电极，所述第二电极被电连接到所述第二DBR层和所述第四DBR层，并且被布置在所述第二DBR层的上表面和所述第四DBR层的上表面上；
第一结合焊盘，所述第一结合焊盘被布置在所述第二发光结构上并且电连接到所述第一电极；以及
第二结合焊盘，所述第二结合焊盘被布置在所述第一发光结构上并且电连接到所述第二电极。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二电极包括：上电极，所述上电极被布置成与所述第二DBR层的上表面和所述第四DBR层的上表面接触；以及连接电极，所述连接电极被布置在所述第一发光结构和所述第二发光结构之间的区域中的所述第一电极上。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：第一导电类型DBR层，所述第一导电类型DBR层物理地连接所述第一DBR层和所述第三DBR层，
其中，所述第一电极被布置成与所述第一导电类型DBR层的上表面接触。
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述第一结合焊盘被布置成与所述第一电极的上表面接触。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：衬底，所述衬底被布置在所述第一发光结构和所述第二发光结构下面，
其中，所述衬底是本征半导体衬底。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一DBR层的反射率小于所述第二DBR层的反射率，以及
其中，所述第三DBR层的反射率小于所述第四DBR层的反射率。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：第一绝缘层，所述第一绝缘层包围所述第一发光结构的侧表面和所述第二发光结构的侧表面，并且暴露在所述第一发光结构和所述第二发光结构之间布置的所述第一电极。
8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述第一绝缘层暴露在所述第二发光结构周围布置的所述第一电极的上表面。
9.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述第一绝缘层被布置在所述第一电极的上表面和所述第二电极的下表面之间，被布置在所述第一发光结构周围处。
10.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：第二绝缘层，所述第二绝缘层被布置在所述第一发光结构的侧表面上，被布置在所述第二发光结构的侧表面和上表面上，并且暴露在所述第一发光结构的上表面上布置的所述第二电极的上表面。
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