[发明专利]1T-相过渡金属二硫化物纳米片在审
申请号: | 201880008164.5 | 申请日: | 2018-01-23 |
公开(公告)号: | CN110214125A | 公开(公告)日: | 2019-09-06 |
发明(设计)人: | 罗伯特·杰夫;安迪奈特·伊基古;伊恩·金洛克 | 申请(专利权)人: | 曼彻斯特大学 |
主分类号: | C01G39/06 | 分类号: | C01G39/06;C25B1/00;C01G39/00;H01G11/30;H01G11/36;H01G11/42 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 英国大*** | 国省代码: | 英国;GB |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 过渡金属二硫化物 纳米片 复合电极 嵌入 电化学电容器 单层纳米片 电极 少层 剥离 电化学 负极 质子溶剂 石墨烯 锂离子 块体 生产 | ||
1.一种生产1T-过渡金属二硫化物少层纳米片和/或单层纳米片的方法,所述方法包括:
(i)电化学电池中的电化学嵌入步骤,所述电池包含:负极,所述负极包含块体2H-过渡金属二硫化物;对电极;以及电解质,所述对电极不为锂,所述电解质包含溶剂中的锂盐,其中所述溶剂能够形成固体电解质界面层;
其中,所述电化学嵌入步骤向所述电池施加电位差,从而将锂离子嵌入到所述负极中,以提供嵌入电极;然后
(ii)剥离步骤,其包括将所述嵌入电极与质子溶剂接触,以生产所述1T-过渡金属二硫化物少层纳米片和/或单层纳米片。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述对电极包括贵金属。
3.根据权利要求1或2所述的方法,其中,所述对电极为铂。
4.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中,所述电解质包括选自碳酸二甲酯、碳酸乙烯酯、碳酸丙烯酯及其混合物的溶剂。
5.根据权利要求4所述的方法,其中,所述电解质为碳酸二甲酯和碳酸乙烯酯的混合物中的锂盐。
6.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中,所述锂盐为LiClO4。
7.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中,所述过渡金属二硫化物为MoS2。
8.根据权利要求7所述的方法,其中,至少50重量%的所述1T-过渡金属二硫化物“少层纳米片和/或单片”为三层纳米片。
9.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中,将所述电位差施加至所述电化学电池1至6小时之间。
10.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中,负极为压缩的2H-过渡金属二硫化物粉末的颗粒。
11.根据权利要求1至9中任一项所述的方法,其中,所述负极包含2H-过渡金属二硫化物晶体。
12.一种包含复合电极的电化学电容器,所述复合电极包含1T-MoS2纳米片和石墨烯,其中所述1T-MoS2纳米片为至少50重量%的三层纳米片。
13.根据权利要求12所述的电化学电容器,其中,所述复合电极包含重量比为1:1的石墨烯和MoS2纳米片和/或其中所述复合电极的所述MoS2纳米片至少50%为1T相。
14.一种生产用于电化学电容器的复合电极的方法,所述方法包括将由权利要求1至11中任一项所述的方法制备的1T-MoS2纳米片与石墨烯结合。
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