[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包含：

半导体层，其具有一侧的第一主面和另一侧的第二主面；

单位单元，其包含：在所述半导体层的所述第一主面的表层部形成的第一导电型的二极管区域、在所述半导体层的所述第一主面的表层部沿着所述二极管区域的周缘形成的第二导电型的阱区、以及在所述阱区的表层部形成的第一导电型区域；

栅极绝缘层，其包覆所述阱区及所述第一导电型区域的表面；

栅极电极层，其隔着所述栅极绝缘层与所述阱区及所述第一导电型区域对置，且具有位于所述第一导电型区域之上的侧壁；

绝缘层，其包覆所述栅极电极层；以及

第一主面电极，其在所述半导体层的所述第一主面上与所述二极管区域及所述第一导电型区域电连接，且在与所述二极管区域之间形成肖特基接合，并在与所述第一导电型区域之间形成欧姆接合，

所述半导体层的所述第一主面包含凹槽部，该凹槽部在位于所述栅极电极层的侧方的区域中以使所述第一导电型区域的至少一部分露出的方式朝向所述第二主面侧凹陷，

所述绝缘层包含：第一部分，其包覆所述凹槽部的一部分，并从所述栅极电极层的所述侧壁沿所述凹槽部延伸；以及第二部分，其包覆所述栅极电极层的所述侧壁，并沿所述栅极电极层的所述侧壁延伸，

沿着与所述半导体层的所述第一主面平行的平行方向的所述第一部分的厚度比所述栅极绝缘层的厚度大，并且所述第一部分的宽度比沿着所述侧壁延伸的所述第二部分的宽度大，

所述第一主面电极在剖视下包括：第一电极部分，其包覆所述第一导电型区域；以及第二电极部分，其隔着所述绝缘层包覆所述栅极电极层，在所述第一电极部分和所述第二电极部分双方具有包含第一阻隔电极膜及第二阻隔电极膜的层叠结构，

在剖视下，包覆所述第一导电型区域的所述第一电极部分的一部分成为越上所述绝缘层的所述第一部分的形状。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述阱区在与所述二极管区域之间形成第一pn接合部，

所述单位单元具有JBS结构，该JBS结构包含形成在所述阱区和所述二极管区域之间的所述第一pn接合部，其中，该JBS结构是结势垒肖特基结构。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述阱区在俯视下围绕所述二极管区域。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述单位单元包含第二导电型的接触区域，该第二导电型的接触区域在所述阱区的表层部形成于所述二极管区域和所述第一导电型区域之间的区域，且具有比所述阱区的第二导电型杂质浓度高的第二导电型杂质浓度。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，

所述接触区域在与所述二极管区域之间形成第二pn接合部，

所述单位单元具有JBS结构，该JBS结构包含形成在所述接触区域和所述二极管区域之间的所述第二pn接合部，其中，该JBS结构是结势垒肖特基结构。

6.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

在所述半导体层的所述第一主面的表层部形成有多个所述单位单元，

所述栅极电极层与各所述单位单元的所述阱区的一部分对置。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，

多个所述单位单元沿着任意的第一方向和与所述第一方向交叉的第二方向空开间隔排列。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，

多个所述单位单元以矩阵状排列。

9.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，

多个所述单位单元以交错状排列。

10.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，

多个所述单位单元通过沿着任意的一个方向彼此相邻地排列而形成一个线状单元。