[发明专利]用于介电膜的选择性沉积的方法及设备

权利要求书

1.一种处理平台，包括：

中央传送站，具有机器人在所述中央传送站中，所述中央传送站具有多个侧面；

预清洁腔室，连接到所述中央传送站的第一侧面，所述预清洁腔室经构造以执行湿式蚀刻工艺或干式蚀刻工艺中的一种或多种；及

批量处理腔室，连接到所述中央传送站的第二侧面，所述批量处理腔室具有多个由气帘隔开的处理区域，所述批量处理腔室包括基座组件，所述基座组件经构造以围绕中心轴线支撑并旋转多个基板，使得所述基板移动通过所述多个处理区域，

其中至少所述中央传送站具有在惰性气体中包含大于或等于约0.1重量％的水蒸气的环境。

2.如权利要求1所述的处理平台，进一步包括：等离子体腔室，连接到所述中央传送站的第三侧面，所述等离子体腔室经构造以产生去耦等离子体。

3.如权利要求1所述的处理平台，其中所述多个处理区域包括硅前驱物和反应物，所述反应物包括供氧反应物、供氮反应物、或供碳反应物中的一或多种，且所述多个处理区域进一步包括钝化区域，所述钝化区域包括钝化剂。

4.如权利要求1所述的处理平台，其中所述预清洁腔室，所述批量处理腔室，或钝化腔室中的一或多个经构造以输送包括烷基硅烷的钝化剂。

5.如权利要求4所述的处理平台，其中所述烷基硅烷具有通式SiR₄，其中每个R独立地为C₁-C₆烷基、取代或未取代的胺、取代或未取代的环胺、所述烷基硅烷基本上不包含Si-H键。

6.如权利要求5所述的处理平台，其中所述烷基硅烷包括具有范围在4至10个原子的环的至少一个取代或未取代的环胺。

7.如权利要求6所述的处理平台，其中所述环胺具有一个氮原子。

8.如权利要求7所述的处理平台，其中所述环胺包括吡咯烷，其中所述吡咯烷的所述氮原子键合到所述烷基硅烷的所述硅原子。

9.如权利要求8所述的处理平台，其中所述烷基硅烷包括1-(三甲基甲硅烷基)吡咯烷。

10.一种沉积膜的方法，所述方法包含以下步骤：

提供包括第一表面和第二表面的基板，所述第一表面包括羟基封端表面，所述第二表面包括氢封端表面；

将所述基板暴露于钝化剂，以与所述羟基封端表面反应，以在所述第一表面上形成阻挡层，所述钝化剂包括烷基硅烷；

将所述基板暴露于一或多个沉积气体，以选择性地在相对于所述第一表面的所述第二基板表面上沉积膜；及

将所述膜暴露于氦去耦等离子体，以改善所述膜的质量，

其中所述基板至少一次移动通过中央传送站，所述中央传送站包括具有大于或等于约0.1％重量的水蒸气的惰性气体的环境。

11.如权利要求10所述的方法，进一步包含以下步骤：在形成所述阻挡层之前，将所述第一表面和所述第二表面暴露于蚀刻工艺，以从所述第二表面移除多个原生氧化物，所述蚀刻工艺包括稀释的HF或基于等离子体的蚀刻中的一或多种。

12.如权利要求11所述的方法，其中所述烷基硅烷具有通式SiR₄，其中每个R独立地为C₁-C₆烷基、取代或未取代的胺、取代或未取代的环胺，所述烷基硅烷基本上不包含Si-H键。

13.如权利要求12所述的方法，其中所述烷基硅烷包括具有范围在4至10个原子的环的至少一个取代或未取代的环胺。

14.如权利要求13所述的方法，其中所述环胺具有一个氮原子。

15.如权利要求14所述的方法，其中所述烷基硅烷包括吡咯烷。