[发明专利]有机电致发光器件在审
申请号: | 201880008450.1 | 申请日: | 2018-02-27 |
公开(公告)号: | CN110268544A | 公开(公告)日: | 2019-09-20 |
发明(设计)人: | 伊洛娜·施滕格尔;弗兰克·福格斯;特雷莎·穆希卡-费尔瑙德;亨宁·塞姆 | 申请(专利权)人: | 默克专利有限公司 |
主分类号: | H01L51/54 | 分类号: | H01L51/54 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 郭国清;宫方斌 |
地址: | 德国达*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机电致发光器件 金属络合物 空穴注入层 制造 | ||
本发明涉及有机电致发光器件和有机电致发光器件的制造方法,所述有机电致发光器件包括包含金属络合物作为主要组分的空穴注入层。
本申请涉及包含空穴注入层的有机电致发光器件(OLED)以及制备所述有机电致发光器件的方法,所述空穴注入层包含铋或镓络合物作为主要组分。
其中有机半导体用作功能材料的OLED的结构是公知的。通常,OLED包括阳极、阴极和有机发光单元。最后一个包括多个功能层,例如空穴或电子注入层,空穴或电子传输层和有机发光层。
在OLED的情况下,对改善性能数据,特别是寿命、效率和工作电压具有相当大的兴趣。
OLED的效率和寿命尤其由器件中电子和空穴的电荷-载流子平衡来确定。通过器件中的电荷-载流子分布和相关的场分布建立这种平衡。
有效的空穴注入是OLED制造中的主要挑战。常用的透明阳极材料氧化铟锡的逸出功的绝对值通常低于常见空穴传输材料的最高占据分子轨道(HOMO)能量的绝对值。
因此,对于向空穴传输层中的空穴注入存在障碍,这导致OLED的工作电压增加。通常通过用p型掺杂剂掺杂空穴传输层(例如,像WO 2014/056565中那样)或者通过在阳极和空穴传输层之间施加受体层(例如,像WO 2001/49806中那样)来处理这一问题。p型掺杂剂是掺杂剂,因此它代表在相应层中以较低量存在的组分(或组分之一)。
金属络合物,特别是铋络合物(例如,如WO2013/182389中所述)最近已经显示有效地用作p型掺杂剂。
从现有技术中已知使用空穴注入层代替p掺杂层(例如在WO 2001/49806中)。例如,由HATCN组成的空穴注入层(如WO 2001/49806中所述)是众所周知的。
然而,仍然需要当在OLED中使用时导致工作电压降低的新的空穴注入体系。工作电压的降低进而导致OLED在寿命和效率方面具有更好的性能。
出人预料地,现在已经发现,可以使用铋或镓络合物的薄层作为OLED中的空穴注入层,以有效地降低OLED的工作电压。同时,金属络合物的所需量比当所述金属络合物用作厚层中的p型掺杂剂时更小。此外,当金属络合物通过蒸发工艺沉积为纯空穴注入层时,OLED的制造被简化,因为仅需要一个蒸发源。
因此,本申请涉及一种有机电致发光器件,其包括:
阴极;
阳极;
设置在阴极和阳极之间的至少一个发光层;
设置在阳极和所述至少一个发光层之间的至少一个空穴传输层;和
设置在阳极和所述至少一个空穴传输层之间的至少一个空穴注入层,
其中基于所述空穴注入层的总重量,所述至少一个空穴注入层包含至少90重量%的至少一种铋或镓络合物,
其中通过循环伏安法测定的铋或镓络合物的还原电位相对于Fc/Fc+高于或等于-3.5V且低于或等于0.5V。
根据本发明的有机电致发光器件包括至少一个空穴注入层。用于本发明目的的空穴注入层是指简化或促进空穴即正电荷从阳极向有机层中转移的层。
根据一个优选的实施方案,基于空穴注入层的总重量,所述至少一个空穴注入层包含至少95重量%,更优选至少99重量%的至少一种铋或镓络合物。特别优选地,所述至少一个空穴注入层由至少一种铋或镓络合物的纯层组成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择