[发明专利]掩模、掩模套件、制膜方法以及制膜装置有效

专利信息
申请号: 201880008517.1 申请日: 2018-01-18
公开(公告)号: CN110225994B 公开(公告)日: 2022-03-11
发明(设计)人: 高桥祐司 申请(专利权)人: 株式会社钟化
主分类号: C23C14/04 分类号: C23C14/04;B32B3/30;B32B27/00;C23C14/56;H05K3/02
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 李慧;王玮
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 掩模 套件 方法 以及 装置
【权利要求书】:

1.一种掩模套件,该掩模套件用于获得设置有与形成于被制膜基板上的薄膜的图案形状对应的开口的可挠性的掩模,所述掩模套件的特征在于,

所述掩模套件具备:

第一掩模基材,该第一掩模基材具有第一主面以及第二主面,在作为与被制膜基板的对置面的第一主面的整个面设置有粘结层;和

支承基材,该支承基材可剥离地贴设于所述第一掩模基材的第二主面侧,

对所述第一掩模基材而言,沿着与形成于被制膜基板上的第一薄膜的图案形状对应的第一开口形成部的外周缘,沿整个厚度方向设置有切断线,

在所述第一掩模基材的第一主面,通过在所述第一开口形成部、以及沿着所述第一开口形成部的外周缘的区域的所述粘结层贴设包覆部件,从而所述第一开口形成部、以及沿着所述第一开口形成部的外周缘的区域对所述被制膜基板不具有粘接性,

对所述包覆部件而言,沿着所述第一开口形成部的外周缘,沿整个厚度方向设置有切断线。

2.一种掩模套件,该掩模套件用于获得设置有与形成于被制膜基板上的薄膜的图案形状对应的开口的可挠性的掩模,所述掩模套件的特征在于,

所述掩模套件具备:

第一掩模基材,该第一掩模基材具有第一主面以及第二主面,作为与被制膜基板的对置面的第一主面对被制膜基板具有粘接性;和

支承基材,该支承基材可剥离地贴设于所述第一掩模基材的第二主面侧,

在所述第一掩模基材与所述支承基材之间,还具备第二掩模基材,

在所述第一掩模基材的第一主面,在第一开口形成部、以及沿着所述第一开口形成部的外周缘的区域,设置有对所述被制膜基板不具有粘接性的非粘接区域,

对所述第一掩模基材而言,分别沿着所述第一开口形成部的外周、以及第二开口形成部的外周,沿整个厚度方向设置有切断线,

所述第一开口形成部与形成于被制膜基板上的第一薄膜的图案形状对应,

所述第二开口形成部与形成于被制膜基板上的第二薄膜的图案形状对应,并且为所述第一开口形成部的内部的区域。

3.根据权利要求2所述的掩模套件,其特征在于,

对所述第一掩模基材而言,在第一主面的整个面设置有粘结层,

通过在所述粘结层贴设包覆部件,从而所述第一开口形成部、以及沿着所述第一开口形成部的外周缘的区域对被制膜基板为非粘接,

对所述包覆部件而言,沿着所述第一开口形成部的外周缘,沿整个厚度方向设置有切断线。

4.一种制膜方法,其特征在于,

将权利要求1~3中任一项所记载的掩模套件的第一掩模基材的第一主面粘贴于被制膜基板上,

将粘贴于所述掩模套件的所述开口形成部的掩模基材与贴设于所述掩模套件的第二主面的支承基材一起剥离,使被制膜基板在掩模基材的开口下露出,

将薄膜形成于在所述开口下露出的被制膜基板上之后,从被制膜基板的表面将所述掩模基材剥离去除。

5.根据权利要求4所述的制膜方法,其特征在于,

通过辊对辊法,一边连续地输送所述基板一边进行向被制膜基板上的制膜。

6.根据权利要求4或5所述的制膜方法,其特征在于,

通过溅射法形成薄膜。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社钟化,未经株式会社钟化许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201880008517.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top