[发明专利]用于测量衬底上的结构的方法和设备在审
申请号: | 201880008551.9 | 申请日: | 2018-01-10 |
公开(公告)号: | CN110214261A | 公开(公告)日: | 2019-09-06 |
发明(设计)人: | S·M·维特;A·安东琴赛奇;S·爱德华;P·C·M·普兰肯;K·S·E·艾克玛;塞巴斯蒂安努斯·阿德里安努斯·古德恩;S·R·胡伊斯曼 | 申请(专利权)人: | ASML荷兰有限公司 |
主分类号: | G01B11/24 | 分类号: | G01B11/24;G03F9/00;G01B17/06 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 王静 |
地址: | 荷兰维*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 衬底 对准标记 数目增加 测量 方法和设备 材料沉积 衬底表面 反射材料 光刻设备 激发辐射 图案施加 不透明 检测 散射 移位 导出 埋入 照射 关联 辐射 期望 | ||
1.一种用于测量衬底上的结构的方法,所述结构位于沉积在所述衬底上的至少一个层下方,所述方法包括:
在激发时间用激发辐射照射衬底的激发区域,其中激发辐射引起材料效应以与衬底相互作用,并且其中激发辐射在衬底的表面上形成空间图案;
测量与由所述结构散射的散射材料效应相关联的至少一种效应;以及
基于所测量的至少一种效应导出所述结构的至少一个特性。
2.根据权利要求1所述的方法,其中所述测量步骤包括:
用测量辐射照射所述衬底;和
接收由所述衬底散射的散射测量辐射,其中所述散射测量辐射表示所述至少一种效应。
3.根据权利要求1或2所述的方法,其中接收散射测量辐射包括使用检测器,其中所述检测器是下述中的一个:干涉仪;暗场检测器;差分检测器;无透镜检测系统;单像素检测器;相位对比度检测器;或CCD检测器。
4.根据权利要求1、2或3所述的方法,其中所述激发辐射包括至少第一激发束,并且其中用激发辐射照射所述衬底的步骤包括:
使用辐射形成元件,以便使所述至少第一激发束在所述衬底的表面上形成所述空间图案。
5.根据任一前述权利要求所述的方法,其中所述衬底的表面上的至少一种效应包括以下中的至少一种:所述衬底的表面的物理移位;或所述衬底的表面的至少一个光学属性的变化,或所述衬底的表面的至少一个物理量的变化。
6.根据权利要求5所述的方法,其中所述至少一种效应形成为所述衬底的表面上的空间周期性图案。
7.根据权利要求5或6所述的方法,其中所述至少一种效应是所述衬底的表面上的瞬态的图案。
8.根据权利要求7所述的方法,其中所述瞬态的图案是所述结构的至少一部分的衍射图案。
9.根据权利要求7或8所述的方法,其中所述测量步骤包括:
在距激发时间的一个或更多个预定的时间间隔处用测量辐射照射所述衬底,和
在一个或更多个预定的时间间隔中的每一个时间间隔处,接收由所述衬底散射的散射测量辐射,其中所述散射测量辐射表示在相应的一个或更多个预定的时间间隔处的所述瞬态的图案。
10.根据权利要求7至9中任一项所述的方法,其中所述瞬态的图案是空间周期性图案。
11.根据权利要求9和10中任一项所述的方法,其中在所述激发区域的一个或更多个预定部分处用测量辐射照射所述衬底。
12.根据权利要求7至11中任一项所述的方法,其中所述激发辐射被配置成产生与所述结构的周期性图案直接对应的衍射效应。
13.根据任一前述权利要求所述的方法,其中所述材料效应是声波。
14.根据权利要求1-7中任一项所述的方法,其中所述材料效应是热扩散。
15.根据任一前述权利要求所述的方法,其中所述测量辐射的至少一个特性能够根据所述衬底的至少一个层的一个或更多个特性或材料属性来选择。
16.一种光刻设备,包括用于执行根据权利要求1至15中任一项所述的方法的装置。
17.一种光刻系统,包括根据权利要求16所述的光刻设备。
18.一种制造器件的方法,其中通过使用光刻设备由光刻过程在一系列衬底上形成器件特征,并且其中使用根据权利要求1至15中任一项所述的方法测量衬底的属性,并且其中使用测量的属性来调整所述光刻过程的参数。
19.一种计算机程序产品,包括用于实施根据权利要求1至15中任一项所述的方法的一个或更多个机器可读指令序列。
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