[发明专利]用于图案化应用的选择性沉积的方案

权利要求书

1.一种选择性沉积方法，包括以下步骤：

提供基板，所述基板具有第一金属表面和第一电介质表面；

将第二金属膜选择性地沉积于所述第一金属表面上，以形成第二金属表面；

通过形成交联的自组装单层来钝化所述第二金属表面以形成钝化层，所述交联的自组装单层包括在5个至20个的范围内的碳原子；

将第二电介质膜选择性地沉积于所述第一电介质表面上以形成第二电介质表面；以及

从所述第二金属表面移除所述钝化层，

其中在所述第二金属膜的沉积期间，所述第一电介质表面不被钝化。

2.如权利要求1所述的方法，其中形成所述交联的自组装单层包括以下步骤：使所述基板暴露于自组装单层前驱物和交联工艺。

3.如权利要求2所述的方法，其中所述自组装单层前驱物包括组合物，所述组合物具有头部基团和尾部基团。

4.如权利要求3所述的方法，其中所述头部基团包括以下项中的一个或多个：甲硅烷基、磷酸基或硫醇基。

5.如权利要求4所述的方法，其中所述自组装单层前驱物包括以下项中的一个或多个：

其中A是所述头部基团。

6.如权利要求3所述的方法，其中所述头部基团吸附至所述第二金属表面。

7.如权利要求6所述的方法，其中所述尾部基团通过范德华相互作用而结合，其中所述尾部基团的结合比所述头部基团的吸附慢。

8.如权利要求2所述的方法，其中所述交联工艺包括以下项中的一个或多个：化学反应、UV光、电子束或热量。

9.如权利要求1所述的方法，进一步包括以下步骤：

将额外的第二金属膜选择性地沉积于所述第二金属表面上，以生长一定厚度的所述第二金属膜；

钝化所述第二金属表面以形成钝化层；

将额外的第二电介质膜选择性地沉积于所述第二电介质表面上，以生长一定厚度的所述第二电介质膜；以及

移除所述钝化层。

10.如权利要求9所述的方法，进一步包括以下步骤：重复沉积额外的第二金属膜、钝化所述第二金属表面、沉积额外的第二电介质膜和移除所述钝化层，以生长预定厚度的第二金属膜和预定厚度的第二电介质膜。

11.如权利要求10所述的方法，其中所述第二金属膜与所述第一金属表面不同，并且所述第二电介质膜与所述第一电介质表面不同。

12.一种选择性沉积方法，包括以下步骤：

(a)提供基板，所述基板具有第一金属表面和第一电介质表面；

(b)利用交联的自组装单层钝化所述金属表面以形成钝化层，其中钝化所述金属表面包括以下步骤：使所述金属表面暴露于化合物，所述化合物具有头部基团、碳链和尾部基团，所述化合物形成自组装单层，所述碳链具有在5个至20个的范围内的碳原子，且所述尾部基团包括疏水部分；

(c)将第二电介质膜选择性地沉积于所述第一电介质表面上，以形成第二电介质表面；

(d)移除所述钝化层；

(e)将第二金属膜选择性地沉积于所述第一金属表面上，以形成第二金属表面；以及

(f)重复步骤(b)至步骤(e)，以生长所述第二电介质膜和所述第二金属膜，以形成预定厚度的第二电介质膜和预定厚度的第二金属膜，

其中在所述第二金属膜的沉积期间，所述电介质表面不被钝化。

13.如权利要求12所述的方法，其中形成所述交联的自组装单层包括以下步骤：使所述基板暴露于自组装单层前驱物和交联工艺。

14.如权利要求13所述的方法，其中所述自组装单层前驱物包括组合物，所述组合物具有头部基团和尾部基团。