[发明专利]具有用于基板偏置的ALD的增强的电隔离的卡盘系统和方法在审
申请号: | 201880008633.3 | 申请日: | 2018-01-23 |
公开(公告)号: | CN110225997A | 公开(公告)日: | 2019-09-10 |
发明(设计)人: | M·J·瑟申;A·贝尔吐赫 | 申请(专利权)人: | 超科技公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/458;B33Y80/00 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 秦晨 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 边缘凹部 基板保持器 电隔离层 基板偏置 支撑基板 保持器 电隔离 盘系统 外边缘 原子层沉积工艺 导电基板 导电基座 导电膜涂 导电膜 基板 外端 延伸 | ||
1.一种卡盘系统,用于执行基板偏置的原子层沉积ALD工艺,所述工艺在基板上形成导电膜,该卡盘系统包括:
导电基板保持器,被构造为支撑所述基板;
导电基座;以及
电气隔离层,夹在所述导电基板保持器和所述导电基座之间并具有外边缘,其中至少一个边缘凹部在所述外边缘中形成并围绕所述外边缘延伸,所述至少一个边缘凹部具有内部,并且尺寸设计成在所述基板偏置的ALD工艺期间防止所述导电膜涂覆所述至少一个凹部的整个内部。
2.如权利要求1所述的卡盘系统,其中所述至少一个边缘凹部具有由范围0.01”(0.25mm)≤h≤0.05”(1.27mm)限定的高度维度h。
3.如权利要求1所述的卡盘系统,其中所述至少一个边缘凹部具有由范围0.20”(5.1mm)≤d≤4”(101.6mm)限定的深度维度d。
4.如权利要求1所述的卡盘系统,其中所述至少一个边缘凹部的纵横比AR≥20。
5.如权利要求1所述的卡盘系统,其中所述至少一个边缘凹部具有由范围50≤AR≤100限定的纵横比。
6.如权利要求1所述的卡盘系统,其中所述至少一个边缘凹部具有矩形横截面形状。
7.如权利要求1所述的卡盘系统,其中所述电隔离层具有由范围0.1”(2.5mm)≤TH≤0.5”(12.7mm)限定的厚度TH。
8.如权利要求1所述的卡盘系统,其中所述电隔离层是单片的并由单一的电绝缘材料制成。
9.如权利要求1所述的卡盘系统,其中所述至少一个边缘凹部包括至少一个分支。
10.如权利要求1所述的卡盘系统,其中所述电隔离层由不同材料制成的第一部件和第二部件形成,其中所述不同材料中的至少一种是电绝缘材料。
11.如权利要求1所述的卡盘系统,其中所述电隔离层至少由第一部件、第二部件和第三部件形成,其中所述部件中的至少一个由电绝缘材料制成。
12.如权利要求1所述的卡盘系统,其中所述电隔离层由选自以下的材料中的至少一种材料制成:玻璃、陶瓷、塑料、热塑性塑料、聚酰胺(尼龙)、聚酰亚胺(Kapton)、环氧树脂、聚合物和聚碳酸酯。
13.如权利要求1所述的卡盘系统,其中所述至少一个边缘凹部包括多个边缘凹部。
14.如权利要求1所述的卡盘系统,还包括:
惰性气体源;以及
气体管线,其将惰性气体源气动地连接到至少一个边缘凹部的所述内部。
15.一种原子层沉积ALD系统,包括:
如权利要求1所述的卡盘系统;以及
具有内部的反应室,其中所述卡盘系统布置在反应室内部中。
16.一种用于卡盘系统的电隔离层,所述卡盘系统用于执行基板偏置的ALD工艺以沉积导电膜,所述电隔离层包括:
由单一电绝缘材料制成的单片盘,该盘具有外边缘并且具有由范围0.1”(2.5mm)≤TH≤0.5”(12.7mm)限定的厚度TH;以及
边缘凹部,在所述外边缘中形成并围绕所述外边缘延伸,该边缘凹部具有在0.01”(0.25mm)≤h≤0.05”(1.27mm)的范围内的高度维度h和在0.20”(5.1mm)≤d≤4”(101.6mm)的范围内的深度维度d,条件是d/h在范围20≤AR≤100内。
17.如权利要求16所述的电隔离层,其中所述边缘凹部包括多个分支。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的