[发明专利]氟树脂膜

说明书

提供一种具有低静摩擦系数和高绝缘击穿强度的氟树脂膜。一种氟树脂膜，其为包含氟树脂的氟树脂膜，其特征在于，至少一个表面的十点平均粗糙度为0.100μm～1.200μm，并且算术平均粗糙度为0.010μm～0.050μm，绝缘击穿强度为400V/μm以上。

技术领域

本发明涉及氟树脂膜。

背景技术

已知偏二氟乙烯均聚物的膜、或由偏二氟乙烯与其它单体构成的共聚物的膜具有高相对介电常数。

专利文献1中记载了一种使用氟树脂形成的高电介质膜，该氟树脂包含合计为95摩尔％以上的偏二氟乙烯单元和四氟乙烯单元。

专利文献2中记载了一种包含四氟乙烯系树脂作为膜形成树脂的膜电容器用膜，该四氟乙烯系树脂以偏二氟乙烯单元/四氟乙烯单元(摩尔％比)为0/100～49/51的范围包含偏二氟乙烯单元和四氟乙烯单元。

另外，专利文献3中记载了一种双轴取向聚丙烯膜，其为由以丙烯为主体的聚丙烯树脂构成的聚丙烯膜，其特征在于，该聚丙烯树脂是在直链状聚丙烯中混合0.1重量％～1.5重量％的支链状聚丙烯(H)而成的，该支链状聚丙烯(H)在230℃下测定时的熔融张力(MS)和熔体流动速率(MFR)满足log(MS)＞－0.56log(MFR)+0.74的关系式，该膜表面的至少一个面具有由梨皮样糙面的凹凸构成的基层，该表面的十点平均粗糙度(Rz)为0.50μm～1.50μm、表面光泽度为90％～135％。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2008/090947号

专利文献2：国际公开第2012/039424号

专利文献3：日本专利第4940986号公报

发明内容

发明所要解决的课题

但是，对于膜电容器等中使用的氟树脂膜来说，除了要求具有高相对介电常数以外，还要求在具有高绝缘击穿强度的同时具有低静摩擦系数以改善膜的卷取性等。但是，尚未获得在维持高绝缘击穿强度的同时具有低静摩擦系数的氟树脂膜。

鉴于上述现状，本发明的目的在于提供一种具有低静摩擦系数和高绝缘击穿强度的氟树脂膜。

用于解决课题的手段

本发明涉及一种氟树脂膜，其为包含氟树脂的氟树脂膜，其特征在于，至少一个表面的十点平均粗糙度为0.100μm～1.200μm，并且算术平均粗糙度为0.010μm～0.050μm，绝缘击穿强度为400V/μm以上。

上述氟树脂优选为偏二氟乙烯/四氟乙烯共聚物。另外，上述氟树脂还优选进一步包含基于烯键式不饱和单体(其中，四氟乙烯和偏二氟乙烯除外)的共聚物单元。

本发明的氟树脂膜优选进一步包含无机颗粒。无机颗粒的含量相对于氟树脂100质量份优选为0.01质量份～5质量份。

本发明的氟树脂膜优选进行了压纹加工。

本发明的氟树脂膜还优选进行了表面涂布。

本发明的氟树脂膜优选包含两种氟树脂作为氟树脂。

本发明的氟树脂膜优选包含未交联氟树脂和交联氟树脂作为氟树脂。

另外，本发明的氟树脂膜还优选包含熔体流动速率不同的两种氟树脂作为氟树脂。优选氟树脂的一种是熔体流动速率为2.0g/10分钟～30.0g/10分钟的氟树脂，另一种是熔体流动速率为0.1g/10分钟～1.9g/10分钟的氟树脂。