[发明专利]供电控制装置有效
申请号: | 201880008706.9 | 申请日: | 2018-01-25 |
公开(公告)号: | CN110235332B | 公开(公告)日: | 2023-03-21 |
发明(设计)人: | 若园佳佑;塚本克马 | 申请(专利权)人: | 株式会社自动网络技术研究所;住友电装株式会社;住友电气工业株式会社 |
主分类号: | H02J7/00 | 分类号: | H02J7/00;H03K17/00;H03K17/08;H03K17/687 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 赵晶;李范烈 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 供电 控制 装置 | ||
提供一种供电控制装置。具备在两个电源之间并联连接的多个半导体开关,经由多个半导体开关来控制向与两个电源连接的负载的供电,具备:温度检测部,检测以从多个半导体开关中的至少一个发出的热量为起因而上升的温度;及切换控制部,在温度检测部检测到阈值温度以上的温度的情况下,执行将多个半导体开关从断开切换为接通的控制。
技术领域
本发明涉及供电控制装置。
本申请主张基于在2017年2月14日提出申请的日本申请第2017-25087号的优先权,并援引所述日本申请记载的全部的记载内容。
背景技术
在车辆搭载有供电控制装置,该供电控制装置通过将设置在从蓄电池向负载供电的供电路径上的开关切换为接通或断开来控制从蓄电池向负载的供电(例如,参照专利文献1)。
专利文献1记载的供电控制装置具备设置于从蓄电池向负载供电的供电路径上并将2个MOSFET(Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor:金属氧化物半导体场效应晶体管)并联连接的开关部。在专利文献1记载的供电控制装置中,设为通过将这些MOSFET切换为接通或断开来控制向负载的供电的结构。
在先技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2013-236297号公报
发明内容
发明要解决的课题
在并联连接的各FET的两端分别连接有电源及负载的电源继电器电路中,在FET的寄生二极管的阳极侧短路的情况下,为了维持阳极侧的电源电压而希望将FET断开来使电流停止。然而,在1个FET为半接通故障(一半接通故障)的状态下,在FET的寄生二极管的阳极侧短路的情况下,如果使FET断开,则电流集中于半接通故障的FET,因此该FET可能会过度发热。
在专利文献1中,设为通过FET的漏极-源极间的电压来检测半接通故障的结构,但是在FET的两端连接有电源的电源继电器电路中,具有无法通过FET的漏极-源极间电压来检测半接通故障的问题点。
本发明的目的在于提供一种即使在半导体开关的两端连接电源的情况下也能够检测半接通故障的供电控制装置。
用于解决课题的方案
一形态的供电控制装置具备在两个电源之间并联连接的多个半导体开关,经由该多个半导体开关来控制向与所述两个电源连接的负载的供电,其中,所述供电控制装置具备:温度检测部,检测以从所述多个半导体开关中的至少一个发出的热量为起因而上升的温度;及切换控制部,在该温度检测部检测到阈值温度以上的温度的情况下,执行将所述多个半导体开关从断开切换为接通的控制。
发明效果
根据上述,即使在半导体开关的两端连接电源的情况下,也能够检测半接通故障。
附图说明
图1是说明实施方式1的电源系统的电路图。
图2是说明控制电路的内部结构的框图。
图3是说明实施方式1的控制电路执行的处理的次序的流程图。
图4是说明实施方式2的电源系统的电路图。
图5是说明实施方式2的控制电路执行的处理的次序的流程图。
具体实施方式
列举本发明的实施方式进行说明。而且,也可以将以下记载的实施方式的至少一部分任意组合。
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