[发明专利]晶圆支撑台

说明书

晶圆支撑台(20)在具有晶圆载置面(22a)的圆板状的陶瓷基体(22)的内部从晶圆载置面(22a)侧依次埋设有RF电极(23)和加热电极(30)。RF电极(23)由形成于同一平面上的每个熔区的多个RF熔区电极(24、25)构成。多个RF熔区电极(24、25)及加热电极(30)分别独立地连接于设于陶瓷基体(22)的背面(22b)的外侧的多个RF熔区电极用导体(34、35)及配线部件(38、38)。

技术领域

本发明涉及晶圆支撑台。

背景技术

作为晶圆支撑台，已知在具有晶圆载置面的圆板状的陶瓷基体的内部将RF电极和加热电极从晶圆载置面侧按照该顺序埋设而成的技术方案。例如，专利文献1中，作为这种晶圆支撑台，公开了在陶瓷基体内具有以相距晶圆搭载面的深度互相不同的方式埋设的圆形状RF电极及圆环状RF电极的技术方案。在与该晶圆支撑台的晶圆载置面对置的位置配置有平板上部电极。然后，对由该平板上部电极和晶圆支撑台的两RF电极构成的平行平板电极间施加高频电力，产生等离子。专利文献1中说明了，在产生等离子时，对圆形状RF电极和圆环状RF电极分别施加不同的高频电力，从而能够将等离子的密度分布控制得良好。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利第5896595号公报

发明内容

发明所要解决的课题

但是，在产生等离子时，平板上部电极与圆形状RF电极的距离及平板上部电极与圆环状RF电极的距离不同，晶圆载置面与圆形状RF电极之间的介电体层(陶瓷基体)的厚度和晶圆载置面与圆环状RF电极之间的介电体层的厚度也不同。因此，难以将等离子的密度分布控制得良好。

本发明为了解决这样的课题而完成，其目的之一在于，能够容易地控制等离子的密度分布。

用于解决课题的方案

为了实现上述的目的的至少一个，本发明的晶圆支撑台采用以下的结构。

即，本发明的晶圆支撑台在具有晶圆载置面的圆板状的陶瓷基体的内部从上述晶圆载置面侧依次埋设有RF电极和加热电极，

上述RF电极由形成于同一平面上的每个熔区的多个RF熔区电极构成，

上述多个RF熔区电极及上述加热电极分别独立地连接于设于上述陶瓷基体的与上述晶圆载置面相反的一侧的面的外侧的多个RF熔区电极用导体及加热电极用导体。

在该晶圆支撑台中，多个RF熔区电极及加热电极分别独立连接于设于陶瓷基体的与晶圆载置面相反的一侧的面的外侧的多个RF熔区电极用导体及加热电极用导体。因此，能够对每个RF熔区电极供给不同的高频电力，能够将等离子的密度分布控制得良好。在此，RF电极由形成于同一平面上的每个熔区的多个RF熔区电极构成。因此，配置于晶圆支撑台的上方的平板上部电极与各RF熔区电极的距离完全相同，晶圆载置面与各RF熔区电极之间的陶瓷基体的厚度(介电体层的厚度)也完全相同。因此，能够容易地控制，以使等离子的密度分布良好。此外，RF熔区电极的形状、数量能够任意地决定。