[发明专利]半导体布置在审
申请号: | 201880009069.7 | 申请日: | 2018-01-30 |
公开(公告)号: | CN110520982A | 公开(公告)日: | 2019-11-29 |
发明(设计)人: | S·D·哈特;T·伍尔默;C·S·马拉姆;T·希尔曼;R·菲利普斯 | 申请(专利权)人: | YASA有限公司 |
主分类号: | H01L23/44 | 分类号: | H01L23/44;H01L25/11;H01L23/367 |
代理公司: | 11283 北京润平知识产权代理有限公司 | 代理人: | 肖冰滨;王晓晓<国际申请>=PCT/GB |
地址: | 英国*** | 国省代码: | 英国;GB |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体装置 散热器 半导体布置 逆变器 冷却 传输电力 固定功率 冷却介质 牵引动力 越野车辆 增加装置 电连接 电耦合 热耦合 浸没 附接 母线 逆变 配置 公路 | ||
1.一种半导体布置,包括:
模块,具有一个或多个半导体装置,所述一个或多个半导体装置热耦合和电耦合到散热器,所述散热器被配置为母线,以将所述一个或多个半导体装置电连接在一起,以在所述一个或多个半导体装置与包括一个或多个热交换部件的散热器之间传输电力,所述一个或多个热交换部件将热量从所述散热器传递到周围环境,
其中所述半导体布置浸入冷却介质中以冷却所述半导体布置。
2.根据权利要求1所述的半导体布置,其中所述一个或多个半导体装置是半导体功率装置。
3.根据权利要求1或2所述的半导体布置,其中所述一个或多个半导体装置包括IGBT、碳化硅(SiC)半导体开关装置、金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)或功率二极管。
4.根据权利要求1,2或3所述的半导体布置,其中所述一个或多个半导体装置机械地附接或接合到所述散热器。
5.根据前述权利要求中任一项所述的半导体布置,其中所述热交换部件包括:具有规则或不规则轮廓的翅片、销孔、孔或槽。
6.一种用于将DC转换为AC的逆变器,包括:
一个或多个输入,其用于接收一个或多个DC电压;
一个或多个输出,其用于输出一个或多个AC电压;
多个根据权利要求1至5中任一项所述的半导体布置模块,其耦合到所述一个或多个输入和所述一个或多个输出,所述半导体布置模块安装到印刷电路板(PCB),所述PCB提供所述半导体装置、所述一个或多个输入和所述一个或多个输出之间的电连接;以及
壳体,用于将所述多个半导体装置模块容纳在所述壳体内的腔室中,所述壳体包括分别与所述腔室流体连通以用于接收和输出冷却介质的入口端口和出口端口,其中所述腔室填充有冷却介质以冷却所述逆变器。
7.根据权利要求6所述的逆变器,其中所述输入DC电压包括+DC输入电压和/或-DC输入电压,并且其中所述AC输出包括AC相输出电压。
8.根据权利要求6或7所述的逆变器,其中所述多个半导体布置模块中的每一个具有纵向轴线,并且其中每个模块安装在所述PCB上,以使得所述模块的纵向轴线彼此平行。
9.根据权利要求8所述的逆变器,其中所述模块布置在所述PCB上,以便在至少一个轴线上对称。
10.根据权利要求6至9中任一项所述的逆变器,其中所述模块电气布置以提供三级T型拓扑结构或二级拓扑结构。
11.根据权利要求10所述的逆变器,其中当被配置为三级T型拓扑结构时,所述逆变器包括在DC/2电压的第二DC输出。
12.根据权利要求10或11所述的逆变器,其中所述模块之间的电气布置可通过一个或多个连接总线配置,所述一个或多个连接总线中的每一个将两个模块的散热器母线连接在一起,以便提供所述三级T型拓扑结构或二级拓扑结构。
13.根据权利要求12所述的逆变器,其中所述逆变器包括四个模块,其布置成三级T型配置,并且其中所述四个模块中的两个的所述散热器母线使用连接总线电连接在一起。
14.根据权利要求13所述的逆变器,其中位于第一模块和第四模块之间的在PCB上的第二模块和第三模块的散热器母线使用所述连接总线电连接在一起。
15.根据权利要求12所述的逆变器,其中所述逆变器包括四个模块,其被布置成二级T型配置,并且其中第一组两个模块的所述散热器母线使用第一连接总线电连接在一起,并且其中第二组两个模块的散热器母线使用第二连接总线电连接在一起。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于YASA有限公司,未经YASA有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201880009069.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。