[发明专利]半导体装置的制造方法及制造装置

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，将芯片组件的电极部直接接合于设在接合对象物的被接合部，所述半导体装置的制造方法的特征在于，包括：

载置步骤，其将所述接合对象物载置于液槽内；

液体注入步骤，其将液体注入至所述液槽内；

在所述液槽所积存的液体中，使接合头所保持的所述芯片组件重合于所述接合对象物，由此，将所述电极部接合于所述被接合部的接合步骤；以及

循环步骤，与所述接合步骤并行地进行，

在所述循环步骤中，所述液槽中储存的液体被排放到回流通路然后返回所述液槽，而使所述液体进行循环，

在所述回流通路上设置有从流过所述回流通路的液体中除去异物的过滤器。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

进而包括：

位置检测步骤，其在所述载置步骤之后，所述液体注入步骤之前，检测所述接合对象物的位置；以及

定位步骤，其基于所述位置检测步骤中的位置检测结果，使所述接合对象物与所述接合头相互定位。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述液体为蚀刻液，所述蚀刻液对所述电极部的接合面或所述被接合部的接合面进行蚀刻，而在所述电极部的接合面或所述被接合部的接合面生成活性层，

所述接合步骤是将任一个生成有所述活性层的所述接合面接合于另一个所述接合面。

4.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述电极部或所述被接合部包括成为接合面的金属薄膜，

所述蚀刻液对所述金属薄膜进行蚀刻，在所述接合面生成活性层。

5.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述电极部或所述被接合部包括成为接合面的金属薄膜，

所述接合步骤是经由所述薄膜来接合所述电极部与所述被接合部。

6.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述液体选自包含超纯水、氟系惰性液体、硅油的群组、或包含这些液体的混合液的群组。

7.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述电极部包含铜薄膜，

在所述液体中添加有用以防止所述电极部氧化的离子调节剂。

8.一种半导体装置的制造装置，将芯片组件的各电极部直接接合于设在接合对象物的被接合部，所述半导体装置的制造装置的特征在于，包括：

液槽，其积存液体，并且在内部载置所述接合对象物；

接合头，其在所述液槽所积存的液体中，使所述芯片组件与所述接合对象物相互重合，由此，将所述芯片组件的所述电极部直接接合于所述接合对象物的所述被接合部；以及

回流通路，其中所述液槽中储存的液体被排放到所述回流通路然后返回所述液槽，而使所述液体进行循环，且在所述回流通路上设置有从流过所述回流通路的液体中除去异物的过滤器。

9.根据权利要求8所述的半导体装置的制造装置，其特征在于，

进而包括：

注入排出机构，其将液体注入至所述液槽及排出；

位置检测机构，其在所述液槽中未注入有液体的状态下，对所述液槽所载置的所述接合对象物的位置进行检测；以及

定位机构，其基于所述位置检测机构的位置检测结果，使所述液槽所保持的所述接合对象物与所述接合头相互定位，

所述注入排出机构在通过所述位置检测机构进行位置检测之后，将液体注入至所述液槽。

10.根据权利要求8或9所述的半导体装置的制造装置，其特征在于，

进而包括除液机构，所述除液机构在从所述液槽的液体中提起所述接合头时，将附着于所述接合头的液体除去。

11.根据权利要求8或9所述的半导体装置的制造装置，其特征在于，

进而包括在所述液槽内的液体中传播超声波振动的超声波洗净机构。