[发明专利]磁性扁平粉末和含有其的磁性片

说明书

本发明的目的是提供具有高的实部导磁率(μ’)和高的饱和磁通密度、且兼具高FR的磁性扁平粉末和含有其的磁性片，为了达成该目的而提供一种磁性扁平粉末，其为包含多个磁性扁平粒子而成的磁性扁平粉末，上述多个磁性扁平粒子分别以质量％计包含C：0.1％以上且3.0％以下、Cr：1.0％以上且小于10％、Si：0％以上且1.5％以下、Mn：0％以上且1.5％以下、Ni：0％以上且1.5％以下、Co：0％以上且10％以下，余量由Fe和不可避免的杂质构成，上述磁性扁平粉末的饱和磁通密度超过1.2T，上述磁性扁平粉末的平均粒径D50为10μm以上且65μm以下。

相关申请的相互参照

本申请基于2017年2月3日申请的日本专利申请2017-18363号而要求优先权，并将其全部公开内容通过参照而援引至本说明书中。

技术领域

本发明涉及用于各种电子设备等且在高频下具有优异磁特性的磁性扁平粉末和含有其的磁性片。

背景技术

近年来，随着个人电脑、智能手机等电子设备和信息设备的急速发展，信息传达的高速化正在推进。随着该信息传达的高速化，使用频带为MHz以上的高频化逐渐推进。尤其是，在作为小型电子设备的智能手机等中，存在由设备内部的电磁波干扰导致错误工作的问题。

这些电子设备通常使用含有软磁性合金粉末的磁性片。作为软磁性合金粉末，使用例如日本特开2014-204051号公报(专利文献1)公开那样的Fe-Si-Al合金铝硅铁粉。专利文献1记载了使用具有15以上的长高比的Fe-Si-Al合金的扁平粉末而得的磁性片会实现高导磁率。

此外，日本特开2012-009797号公报(专利文献2)记载了一种软磁性树脂组合物和电磁波吸收体，其能够在1GHz以上的高频段中任意地调节电磁波吸收频率，并且壁薄，能够获得优异的电磁波吸收性。

此外，日本特开2010-272608号公报(专利文献3)记载了一种使用Fe-Cr合金或Fe-Cr-Si合金得到的500MHz～3GHz频段的扁平状磁性粉末。专利文献3中，由于Cr含量高，因此耐蚀性也高且廉价，实现了高的实部导磁率(μ’)和低的虚部导磁率(μ”)。

在磁性片的特性中要求的特性是：作为导磁率的实部的实部导磁率(μ’)高、且作为导磁率的虚部的虚部导磁率(μ”)低。在高频区域中，因磁性的共振现象而导致实部导磁率(μ’)明显减少，且虚部导磁率(μ”)开始急剧增加。作为该共振现象的评价，使用tanδ(μ”/μ’)是有效的。此处，以下将tanδ达到0.1的频率设为FR(MHz)。该FR通常存在与饱和磁通密度成比例地提高的倾向。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2014-204051号公报

专利文献2：日本特开2012-009797号公报

专利文献3：日本特开2010-272608号公报

发明内容

发明要解决的课题

Fe-Si-Al合金的扁平粉末的饱和磁通密度通常为1.0T左右，FR约为20MHz。此外，Fe-Cr或Fe-Cr-Si合金的扁平粉末的饱和磁通密度通常为1.2T左右，比铝硅铁粉合金高，但FR为50MHz以下。因此，在这样的合金体系中，由于饱和磁通密度低，因此FR也低，难以吸收宽范围的电磁波。

用于解决课题的手段

针对这种问题，本发明人等进行了深入研究的结果，通过含有C来代替以高浓度含有Cr，开发出具有高的实部导磁率(μ’)和高的饱和磁通密度，且兼具高FR的磁性扁平粉末和含有其的磁性片，从而完成了本发明。

即，本发明包括以下的磁性扁平粉末和磁性片。