[发明专利]III-V族化合物半导体基板和带有外延层的III-V族化合物半导体基板

权利要求书

1.一种III-V族化合物半导体基板，所述III-V族化合物半导体基板为磷化铟基板，其中，所述III-V族化合物半导体基板在主表面上以0.22个粒子/cm²以下的量包含粒度为0.19μm以上的粒子，

其中所述粒子是指附着到所述主表面的微细粒子，

所述III-V族化合物半导体基板通过如下方法制得，所述方法包括精密清洗步骤，所述精密清洗步骤包括面向下的单晶片法。

2.一种III-V族化合物半导体基板，所述III-V族化合物半导体基板为磷化铟基板，其中，所述III-V族化合物半导体基板在主表面上以20个粒子/cm²以下的量包含粒度为0.079μm以上的粒子，

其中所述粒子是指附着到所述主表面的微细粒子，

所述III-V族化合物半导体基板通过如下方法制得，所述方法包括精密清洗步骤，所述精密清洗步骤包括面向下的单晶片法。

3.根据权利要求1或2所述的III-V族化合物半导体基板，其中

所述III-V族化合物半导体基板是半绝缘磷化铟基板，并且

所述主表面覆盖有保护膜。

4.根据权利要求3所述的III-V族化合物半导体基板，其中所述保护膜包含表面活性剂。

5.根据权利要求3所述的III-V族化合物半导体基板，其中所述保护膜具有0.3nm以上且3nm以下的厚度。

6.根据权利要求4所述的III-V族化合物半导体基板，其中所述保护膜具有0.3nm以上且3nm以下的厚度。

7.一种带有外延层的III-V族化合物半导体基板，所述带有外延层的III-V族化合物半导体基板包含根据权利要求1所述的III-V族化合物半导体基板和设置在所述III-V族化合物半导体基板的所述主表面上的外延层，并且

在所述外延层具有0.3μm的厚度的情况下在所述主表面上以10个缺陷/cm²以下的量包含圆当量直径为0.24μm以上的光点缺陷。

8.一种带有外延层的III-V族化合物半导体基板，所述带有外延层的III-V族化合物半导体基板包含根据权利要求2所述的III-V族化合物半导体基板和设置在所述III-V族化合物半导体基板的所述主表面上的外延层，并且

在所述外延层具有0.3μm的厚度的情况下在所述主表面上以30个缺陷/cm²以下的量包含圆当量直径为0.136μm以上的光点缺陷。

9.一种III-V族化合物半导体基板，所述III-V族化合物半导体基板是导电砷化镓基板，其中，所述III-V族化合物半导体基板在主表面上以1.0个粒子/cm²以下的量包含粒度为0.079μm以上的粒子，

其中所述粒子是指附着到所述主表面的微细粒子，

所述III-V族化合物半导体基板通过如下方法制得，所述方法包括精密清洗步骤，所述精密清洗步骤包括面向下的单晶片法。

10.一种带有外延层的III-V族化合物半导体基板，所述带有外延层的III-V族化合物半导体基板包含根据权利要求9所述的III-V族化合物半导体基板和设置在所述III-V族化合物半导体基板的所述主表面上的外延层，并且

在所述外延层具有5μm的厚度的情况下在所述主表面上以5个缺陷/cm²以下的量包含圆当量直径为3.0μm以上的光点缺陷。

11.一种带有外延层的III-V族化合物半导体基板，所述带有外延层的III-V族化合物半导体基板包含III-V族化合物半导体基板和设置在所述III-V族化合物半导体基板的所述主表面上的外延层，

所述III-V族化合物半导体基板是半绝缘砷化镓基板、并且在主表面上以12个粒子/cm²以下的量包含粒度为0.079μm以上的粒子，并且

在所述外延层具有5μm的厚度的情况下在所述主表面上以10个缺陷/cm²以下的量包含圆当量直径为3.0μm以上的光点缺陷，

其中所述粒子是指附着到所述主表面的微细粒子，

所述III-V族化合物半导体基板通过如下方法制得，所述方法包括精密清洗步骤，所述精密清洗步骤包括面向下的单晶片法。