[发明专利]OTS设备的制造方法以及OTS设备在审
| 申请号： | 201880009756.9 | 申请日： | 2018-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN111357085A | 公开（公告）日： | 2020-06-30 |
| 发明（设计）人： | 安炯祐;堀田和正;沢田贵彦;山本直志 | 申请（专利权）人： | 株式会社爱发科 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/8239;H01L27/105;H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 刁兴利;康泉 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | ots 设备 制造 方法 以及 | ||
1.一种OTS设备的制造方法，在绝缘性的基板上，依次重叠配置第一导电部、由硫族化合物构成的OTS部以及第二导电部而成，其特征在于，包括：
工序A，在所述基板的一面的整个区域形成所述第一导电部；
工序B，在所述第一导电部的整个区域形成所述OTS部；
工序C，在所述OTS部的整个区域形成所述第二导电部；
工序D，以覆盖所述第二导电部的上表面的一部分的方式形成抗蚀剂；
工序E，对未覆盖所述抗蚀剂的区域进行干法蚀刻；以及
工序F，对所述抗蚀剂进行灰化，
在所述工序E，在所述区域的深度方向上，通过一次蚀刻对所述第二导电部、所述OTS部的全部以及所述第一导电部的上部进行处理并去除。
2.根据权利要求1所述的OTS设备的制造方法，其特征在于，所述工序A、所述工序B以及所述工序C均在减压下的空间内进行，
所述工序A、所述工序B及所述工序C为连续的in situ process。
3.根据权利要求1所述的OTS设备的制造方法，其特征在于，具有在所述工序A与所述工序B之间进行的工序X，
所述工序X为通过使用Ar气体的ICP法对由所述工序A形成的所述第一导电部的表面进行平坦化处理。
4.根据权利要求1所述的OTS设备的制造方法，其特征在于，所述工序E的所述干法蚀刻为使用Ar气体的等离子体处理。
5.一种OTS设备，在绝缘性的基板上，依次重叠配置第一导电部、由硫族化合物构成的OTS部以及第二导电部而成，其特征在于，
将所述第一导电部的表面粗糙度定义为Rp-v，将所述OTS部的厚度定义为Tx时，满足Rp-v≤(Tx/10)的关系式。
6.根据权利要求5所述的OTS设备，其特征在于，所述第一导电部的表面粗糙度Rp-v为3.3nm以下。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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