[发明专利]用于测量衬底及膜厚度分布的系统及方法有效
申请号: | 201880009926.3 | 申请日: | 2018-02-07 |
公开(公告)号: | CN110312911B | 公开(公告)日: | 2021-10-15 |
发明(设计)人: | 陈登鹏;A·曾 | 申请(专利权)人: | 科磊股份有限公司 |
主分类号: | G01B11/30 | 分类号: | G01B11/30;G01B11/06;G01B9/02 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 刘丽楠 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 测量 衬底 厚度 分布 系统 方法 | ||
1.一种测量系统,其包括:
双干涉仪子系统,其经配置以测量跨衬底的平坦度;
质量传感器,其经配置以测量所述衬底的质量;及
控制器,其通信地耦合到所述双干涉仪子系统及所述质量传感器,所述控制器包含一或多个处理器,其中所述一或多个处理器经配置以执行存储在存储器中的一组程序指令,所述一组程序指令经配置以致使所述一或多个处理器:
在将膜沉积在衬底上之前接收所述衬底的第一平坦度测量及第一质量测量;
基于将所述膜沉积在所述衬底上之前的所述第一质量测量确定所述衬底的第一平均厚度;
在将所述膜沉积在衬底上之后接收所述衬底的第二平坦度测量及第二质量测量;
基于将所述膜沉积在所述衬底上之后的所述第二质量测量确定所述衬底的第二平均厚度;
基于将所述膜沉积在所述衬底上之前的所述第一平坦度测量及所述第一平均厚度以及将所述膜沉积在所述衬底上之后的所述衬底的所述第二平坦度测量及所述第二平均厚度确定依据跨所述衬底的位置而变的所述膜的厚度分布;及
提供基于所述衬底或所述膜中的至少一者的经确定厚度分布的一或多个控制指令以调整一或多个过程工具。
2.根据权利要求1所述的系统,其中所述一或多个处理器经配置以:
经由用户界面从用户接收所述衬底的所述第一质量测量和所述第二质量测量。
3.根据权利要求1所述的系统,其中所述一或多个处理器经配置以:
从所述存储器接收所述衬底的所述第一质量测量和所述第二质量测量。
4.根据权利要求1所述的系统,其中所述双干涉仪子系统包括:
双波长双斐索干涉仪DWDFI子系统。
5.根据权利要求1所述的系统,其中所述质量传感器包括:
高精度称重传感器。
6.根据权利要求1所述的系统,其中所述衬底包括:
半导体晶片。
7.根据权利要求1所述的系统,其中所述一或多个处理器进一步经配置以:
在将所述膜沉积在所述衬底上之前且在将一或多个预层沉积在所述衬底上之后接收所述衬底的所述第一平坦度测量及所述第一质量测量;
在将所述膜沉积到所述衬底的所述预层上之后接收所述衬底的所述第二平坦度测量及所述第二质量测量;及
基于所述膜的密度、所述第一平坦度测量、所述衬底的第一质量测量、所述第二平坦度测量及所述衬底的第二质量测量确定依据跨所述衬底的位置而变的所述膜的所述厚度分布。
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