[发明专利]展现源自可逆相变的电场诱导应变的陶瓷材料的识别方法、制备方法和由其可得的陶瓷材料有效
申请号: | 201880010100.9 | 申请日: | 2018-02-02 |
公开(公告)号: | CN110312693B | 公开(公告)日: | 2020-11-17 |
发明(设计)人: | 大卫·卡恩;B·吉邦斯;彼得·马迪洛维奇 | 申请(专利权)人: | 赛尔科技有限公司 |
主分类号: | H01L41/187 | 分类号: | H01L41/187;C04B35/475;C04B35/462;C04B35/465;C04B35/468 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
地址: | 英国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 展现 源自 可逆 相变 电场 诱导 应变 陶瓷材料 识别 方法 制备 可得 | ||
1.一种固溶体陶瓷材料的识别方法,所述固溶体陶瓷材料为至少三种钙钛矿型化合物的展现源自从赝立方相至四方相的可逆相变的电场诱导应变的固溶体陶瓷材料;所述方法包括以下步骤:
i)确定至少一种四方钙钛矿型化合物相对于至少一种非四方钙钛矿型化合物的摩尔比,当它们组合以形成固溶体时,提供包含轴比c/a在1.005与1.04之间的四方相占主要比例的陶瓷材料;和
ii)确定至少一种另外的非四方钙钛矿型化合物相对于来自步骤i)的钙钛矿型化合物的组合的摩尔比为确定的摩尔比,当它们组合以形成固溶体时,提供包含轴比c/a为0.995~1.005和/或菱形体角为90±0.5度的赝立方相占主要比例的陶瓷材料。
2.根据权利要求1所述的方法,其中步骤i)包括以下子步骤:
i-a)以特定的摩尔比制备至少一种四方钙钛矿型化合物和至少一种非四方钙钛矿的至少一种固溶体陶瓷材料;
i-b)确定步骤a)中制备的所述固溶体陶瓷材料的主相的轴比c/a是否对应于轴比c/a在1.005与1.04之间的四方相。
3.根据权利要求2所述的方法,其中步骤i)进一步包括以下子步骤:
i-c)使用所述至少一种四方钙钛矿型化合物和所述至少一种非四方钙钛矿的不同摩尔比来重复子步骤i-a)和i-b),直到制备的固溶体陶瓷材料的主相的轴比c/a对应于轴比c/a在1.005与1.04之间的四方相。
4.根据权利要求2或权利要求3所述的方法,其中在子步骤i-a)中制备的所述至少一种固溶体陶瓷材料包括摩尔比为3:1至1:3的所述至少一种四方钙钛矿和所述至少一种非四方钙钛矿。
5.根据权利要求2或权利要求3所述的方法,其中在子步骤i-a)中制备的所述至少一种固溶体陶瓷材料包括摩尔比为2:1至1:2的所述至少一种四方钙钛矿和所述至少一种非四方钙钛矿。
6.根据权利要求2或权利要求3所述的方法,其中在子步骤i-a)中制备的所述至少一种固溶体陶瓷材料包括摩尔比为1.5:1至1:1.5的所述至少一种四方钙钛矿和所述至少一种非四方钙钛矿。
7.根据权利要求1至3任一项所述的方法,其中步骤ii)包括以下子步骤:
ii-a)以步骤i)中确定的摩尔比制备所述至少一种四方钙钛矿型化合物和所述至少一种非四方钙钛矿型化合物的至少一种固溶体陶瓷材料,并且以相对于来自步骤i)的钙钛矿型化合物的组合的特定摩尔比另外包括至少一种另外的非四方钙钛矿型化合物;和
ii-b)确定在步骤ii-a)中制备的所述至少一种固溶体陶瓷材料的主相的轴比c/a和/或菱形体角是否对应于轴比c/a为0.995~1.005和/或菱形体角为90±0.5度的赝立方相。
8.根据权利要求7所述的方法,其中步骤ii)进一步包括以下子步骤:
ii-c)使用所述另外的非四方钙钛矿型化合物相对于来自步骤i)的钙钛矿型化合物的组合的不同摩尔比来重复子步骤ii-a)和ii-b),直至所得固溶体陶瓷材料的主相的轴比c/a和/或菱形体角对应于轴比c/a为0.995~1.005和/或菱形体角为90±0.5度的赝立方相。
9.根据权利要求7所述的方法,其中在子步骤ii-a)中制备的所述至少一种固溶体陶瓷材料具有以大于所述陶瓷材料的80mol%的量存在的来自步骤i)的所述钙钛矿型化合物的组合,并且具有以小于所述陶瓷材料的20mol%的量存在的子步骤ii-a)中的所述至少一种另外的非四方钙钛矿型化合物。
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