[发明专利]清洗制剂

权利要求书

1.一种清洗组合物，包含：

1)至少一种氧化还原剂；

2)至少一种有机溶剂，所述有机溶剂选自由水溶性醇、水溶性酮、水溶性酯、水溶性砜及水溶性醚组成的组；

3)至少一种含硼化合物，所述含硼化合物选自由硼酸、硼酸化物及其盐组成的组；及

4)水。

2.如权利要求1所述的组合物，其中，所述组合物具有约7至约11的pH。

3.如权利要求1所述的组合物，其中，所述至少一种氧化还原剂包含羟胺。

4.如权利要求1所述的组合物，其中，所述至少一种氧化还原剂为所述组合物重量的约0.5％至约20％。

5.如权利要求1所述的组合物，其中，所述组合物包含二种有机溶剂。

6.如权利要求5所述的组合物，其中，所述二种有机溶剂各自独立地选自由烷撑二醇、烷撑二醇醚及砜组成的组。

7.如权利要求6所述的组合物，其中，所述二种有机溶剂各自独立地选自由己二醇、二乙二醇丁醚及环丁砜组成的组。

8.如权利要求1所述的组合物，其中，所述至少一种有机溶剂为所述组合物重量的约60％至约95％。

9.如权利要求1所述的组合物，还包含至少一种有机酸。

10.如权利要求9所述的组合物，其中，所述至少一种有机酸包含羧酸或磺酸。

11.如权利要求10所述的组合物，其中，所述至少一种有机酸包含甲磺酸。

12.如权利要求9所述的组合物，其中，所述至少一种有机酸为所述组合物重量的约0.01％至约0.5％。

13.如权利要求1所述的组合物，其中，所述至少一种含硼化合物包含硼酸。

14.如权利要求1所述的组合物，其中，所述至少一种含硼化合物包含式(I)的硼酸化物：

R-B-(OH)₂，

其中R是C₁至C₁₀烷基或芳基。

15.如权利要求14所述的组合物，其中，R是苯基。

16.如权利要求1所述的组合物，其中，所述含硼化合物为所述组合物重量的约0.001％至约0.2％。

17.如权利要求1所述的组合物，其中，所述水为所述组合物的约5％至约28％。

18.一种方法，包含以下步骤：

使包含蚀刻后残留物或灰化后残留物的半导体基材与如权利要求1所述的清洗组合物接触。

19.如权利要求18所述的方法，其中，所述半导体基材还包括包含材料的层，所述材料选自由Cu、Co、W、AlOx、AlN、AlOxNy、Ti、TiN、Ta、TaN、TiOx、ZrOx、HfOx及TaOx组成的组。

20.如权利要求18所述的方法，还包含在所述接触步骤后用冲洗溶剂冲洗所述半导体基材的步骤。

21.如权利要求20所述的方法，还包含在所述冲洗步骤后干燥所述半导体基材的步骤。

22.如权利要求18所述的方法，还包含由所述半导体基材形成半导体装置的步骤。