[发明专利]含硫属元素的化合物、其制备方法和包含其的热电元件

权利要求书

1.一种由以下化学式1表示的含硫属元素的化合物：

[化学式1]

M_yV_1-ySn_xSb₂Te_x+3

其中，在上式1中，V为空位，M为Na，6≤x≤12，以及0y≤0.4。

2.根据权利要求1所述的含硫属元素的化合物，其中所述化合物具有面心立方晶格结构。

3.根据权利要求2所述的含硫属元素的化合物，其中V、Sn、Sb和M无规分布在(x,y,z)＝(0,0,0)的位点处，以及Te分布在(x,y,z)＝(0.5,0.5,0.5)的位点处。

4.根据权利要求1所述的含硫属元素的化合物，其中6≤x≤12以及0.01≤y≤0.4。

5.根据权利要求1所述的含硫属元素的化合物，其中所述化合物选自Na_0.2V_0.8Sn₆Sb₂Te₉、Na_0.2V_0.8Sn₈Sb₂Te₁₁、Na_0.2V_0.8Sn₁₀Sb₂Te₁₃、Na_0.2V_0.8Sn₁₂Sb₂Te₁₅、Na_0.1V_0.9Sn₈Sb₂Te₁₁、和Na_0.4V_0.6Sn₈Sb₂Te₁₁。

6.一种用于制备根据权利要求1所述的含硫属元素的化合物的方法，包括：

将Sn、Sb、Te和Na的原料混合使得Sn:Sb:Te:Na的摩尔比为x:2:(x+3):y，然后使混合物经历熔融反应，其中6≤x≤12以及0y≤0.4；

对通过所述熔融反应获得的所得产物进行热处理；

将通过所述热处理获得的所得产物粉碎；以及

烧结经粉碎的产物，

其中所述熔融反应在700℃至900℃的温度下进行，

所述热处理在550℃至640℃的温度下进行，以及

所述烧结在10MPa至100MPa的压力下在550℃至640℃的温度下进行。

7.根据权利要求6所述的用于制备含硫属元素的化合物的方法，还包括在热处理步骤与粉碎步骤之间的将所述热处理步骤的所得物冷却以形成锭的步骤。

8.根据权利要求6所述的用于制备含硫属元素的化合物的方法，其中所述烧结通过放电等离子体烧结法进行。

9.一种热电元件，包含根据权利要求1至5中任一项所述的含硫属元素的化合物。