[发明专利]等离子体处理方法在审

专利信息
申请号: 201880010962.1 申请日: 2018-03-19
公开(公告)号: CN110268508A 公开(公告)日: 2019-09-20
发明(设计)人: 广田侯然;角屋诚浩;中宇祢功一;玉利南菜子;井上智己;中元茂 申请(专利权)人: 株式会社日立高新技术
主分类号: H01L21/3065 分类号: H01L21/3065;H01L21/304;H05H1/00;H05H1/46
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 李国华
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 等离子体 等离子体处理 等离子体蚀刻 金属除去 堆积 蚀刻 堆积物 室内 晶片 试料 等离子体清洗 半导体基板 非金属元素 金属元素 蚀刻处理 异物 复合 金属 重复
【权利要求书】:

1.一种对处理室内进行清洗的等离子体处理方法,其特征在于,

所述等离子体处理方法具有如下工序:

蚀刻工序,对预定个数的试料进行等离子体蚀刻;

金属除去工序,在所述蚀刻工序之后,使用等离子体来除去含有金属元素和非金属元素并堆积在所述处理室内的堆积膜;以及

非金属除去工序,在所述蚀刻工序之后,使用与所述金属除去工序的等离子体不同的等离子体,来除去含有金属元素和非金属元素并堆积在所述处理室内的堆积膜,

将所述金属除去工序和所述非金属除去工序重复两次以上。

2.根据权利要求1所述的等离子体处理方法,其特征在于,

在所述非金属除去工序之前,进行所述金属除去工序。

3.根据权利要求1所述的等离子体处理方法,其特征在于,

监测所述金属除去工序的等离子体的发光,

监测所述非金属除去工序的等离子体的发光,

重复进行所述金属除去工序和所述非金属除去工序,直到检测出使用了被监测的所述金属除去工序的等离子体的发光的所述金属除去工序的结束以及使用了被监测的所述非金属除去工序的等离子体的发光的所述非金属除去工序的结束为止。

4.根据权利要求1所述的等离子体处理方法,其特征在于,

使用含硼气体与含氯气体的混合气体或者含硅气体与含氯气体的混合气体,来生成所述金属除去工序的等离子体,

使用含氟气体或含氧气体来生成所述非金属除去工序的等离子体。

5.根据权利要求4所述的等离子体处理方法,其特征在于,

所述处理室的表面被电浮置,

在所述试料被载置于试料台时,进行所述金属除去工序和所述非金属除去工序。

6.根据权利要求1所述的等离子体处理方法,其特征在于,

所述等离子体处理方法还具有如下工序:

硼除去工序,在所述金属除去工序之后,使用等离子体除去所述处理室内的硼元素;以及

氟除去工序,在所述非金属除去工序之后,使用等离子体除去所述处理室内的氟元素,

将所述金属除去工序、所述硼除去工序、所述非金属除去工序以及所述氟除去工序的实施作为一个循环重复两次以上。

7.一种等离子体处理方法,在表面的一部分配置有材质为不锈钢的部件的处理室内对试料进行等离子体蚀刻,并对所述处理室内进行等离子体清洗,其特征在于,

所述等离子体处理方法具有如下工序:

蚀刻工序,对预定个数的所述试料进行等离子体蚀刻;

金属除去工序,在所述蚀刻工序之后,使用等离子体来除去含有金属元素和非金属元素并堆积在所述处理室内的堆积膜;

非金属除去工序,在所述蚀刻工序之后,使用与所述金属除去工序的等离子体不同的等离子体,来除去含有金属元素和非金属元素并堆积在所述处理室内的堆积膜;以及

处理工序,在所述金属除去工序之前,使用H2气体或SF6气体进行等离子体处理。

8.根据权利要求3所述的等离子体处理方法,其特征在于,

设N为自然数,在第N次所述金属除去工序中监测到的发光强度与第(N-1)次所述金属除去工序中监测到的发光强度的差的绝对值成为预定值以下时,结束所述金属除去工序,

设M为自然数,在第M次所述非金属除去工序中监测到的发光强度与第(M-1)次所述非金属除去工序中监测到的发光强度的差的绝对值成为预定值以下时,结束所述非金属除去工序。

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