[发明专利]用于transcap面积优化的布局技术

说明书

本公开的某些方面提供了一种半导体可变电容器。半导体可变电容器通常包括半导体区域、设置在半导体区域上方的绝缘层、以及设置在绝缘层上方的第一非绝缘区域。在某些方面，第二非绝缘区域邻近半导体区域设置，控制区域邻近半导体区域设置，使得第一非绝缘区域与第二非绝缘区域之间的电容被配置为通过改变施加到控制区域的控制电压来调节。在某些方面，第一非绝缘区域设置在半导体区域的第一部分和半导体区域的第二部分上方，并且半导体区域的第一部分和第二部分分别邻近控制区域或第二非绝缘区域的第一侧和第二侧设置。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2017年2月13日提交的美国专利申请序列号15/431,109的优先权，其全部内容通过引用明确并入本文。

技术领域

本公开的某些方面总体上涉及电子电路，并且更具体地涉及可变半导体电容器。

背景技术

半导体电容器是集成电路的基本组件。可变电容器是一种电容可以在偏置电压的影响下有意地和重复地改变的电容器。可以称为变容二极管的可变电容器通常用在电感器电容器(LC)电路中，以设置振荡器的谐振频率，或者用作可变电抗，例如用于天线调谐器中的阻抗匹配。

压控振荡器(VCO)是可以使用变容二极管的示例电路，其中通过改变偏置电压来改变形成在p-n结二极管中的耗尽区的厚度，以改变结电容。任何结型二极管都表现出这种效应(包括晶体管中的p-n结)，但用作可变电容二极管的器件被设计为具有大的结面积和专门选择的掺杂分布以改善器件性能，诸如品质因数和调谐范围。

发明内容

本公开的某些方面提供了一种半导体可变电容器。半导体可变电容器总体上包括半导体区域、设置在半导体区域上方的绝缘层、设置在绝缘层上方的第一非绝缘区域、邻近半导体区域设置的第二非绝缘区域、以及邻近半导体区域设置的控制区域，使得第一非绝缘区域与第二非绝缘区域之间的电容被配置为通过改变施加到控制区域(例如，施加在控制区域与第二非绝缘区域之间)的控制电压来调节。在某些方面，第一非绝缘区域设置在半导体区域的第一部分和半导体区域的第二部分上方，并且半导体区域的第一部分和第二部分分别邻近控制区域或第二非绝缘区域的第一侧和第二侧设置。

本公开的某些方面提供了一种半导体可变电容器。半导体可变电容器总体上包括半导体区域；设置在半导体区域上方的第一非绝缘区域；设置在半导体区域上方的第二非绝缘区域；设置在半导体区域上方的第三非绝缘区域；设置在半导体区域上方的第四非绝缘区域，其中第二非绝缘区域和第三非绝缘区域分别设置在半导体区域的第一部分和第二部分上方，并且其中第一部分和第二部分位于第一非绝缘区域与第四非绝缘区域之间；以及邻近半导体区域设置的至少一个第一控制区域，使得第一非绝缘区域与第四非绝缘区域之间的电容被配置为通过改变施加到第一控制区域的控制电压来调节，其中第一控制区域设置在第二非绝缘区域与第三非绝缘区域之间。

本公开的某些方面提供了一种用于制造半导体可变电容器的方法。该方法总体上包括形成半导体区域，在半导体区域上方形成绝缘层，在绝缘层上方形成第一非绝缘区域，邻近半导体区域形成第二非绝缘区域，以及邻近半导体区域形成控制区域，使得第一非绝缘区域与第二非绝缘区域之间的电容被配置为通过改变施加到控制区域的控制电压来调节，其中第一非绝缘区域形成在半导体区域的第一部分和半导体区域的第二部分上方，并且半导体区域的第一部分和第二部分分别邻近控制区域或第二非绝缘区域的第一侧和第二侧形成。