[发明专利]用于高边开关的回转控制

权利要求书

1.一种用于高边开关的回转速度控制电路，所述电路包括：

样本和电平移位电路，所述样本和电平移位电路连接到所述高边开关并且包括与至少一个电流槽并联连接的晶体管；

电荷限制电路；和

取样电容器，所述取样电容器被配置成：

对对应于所述样本和电平移位电路的输入电压进行取样；以及

对所述高边开关的栅极电容进行充电；并且

其中所述电荷限制电路被配置成限制每单位时间转移到所述高边开关的栅极电容的电荷的速度，

其中所述至少一个电流槽被配置成控制存储在所述取样电容器中的电荷的量，并且所述晶体管被配置成被接通以移除对应于所述至少一个电流槽的任何电荷限制。

2.根据权利要求1所述的电路，其中所述电荷限制电路被进一步配置成限制对应于所述取样电容器的电流。

3.根据权利要求1所述的电路，其中所述电荷限制电路被进一步配置成限制对应于所述取样电容器的电压。

4.根据权利要求1所述的电路，其中所述电荷限制电路被进一步配置成限制对应于所述样本和电平移位电路的取样电容。

5.根据权利要求1所述的电路，其中所述电荷限制电路被进一步配置成限制对应于所述样本和电平移位电路的频率。

6.根据权利要求1所述的电路，其中所述高边开关为n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(nMOS晶体管)。

7.根据权利要求1所述的电路，其中用于所述高边开关的所述回转速度控制电路为单个芯片上的集成电路。

8.根据权利要求1所述的电路，其中所述电荷限制电路包括可调节电压供应。

9.根据权利要求1所述的电路，其中所述电荷限制电路包括所述取样电容器。

10.根据权利要求1所述的电路，其中：

所述取样电容器为可调节取样电容器；并且

所述电荷限制电路包括所述取样电容器。

11.一种用于控制高边开关的回转速度的方法，所述方法包括：

向样本和电平移位电路供应输入电流；

利用被配置用于对对应于所述样本和电平移位电路的输入电压进行取样的取样电容器对输入电压进行取样；

对所述输入电压进行电平移位；

使用所述取样电容器对所述高边开关的栅极电容进行充电；

限制供应给所述取样电容器的电荷，所述电荷受到至少一个电流槽的限制；以及

将所述样本和电平移位电路中的晶体管与所述至少一个电流槽并联连接，以及接通所述晶体管以移除对应于所述至少一个电流槽的任何电荷限制。

12.根据权利要求11所述的方法，还包括对应于不同的高边开关回转速度，选择所述至少一个电流槽或所述至少一个电流槽中的一个电流槽。

13.根据权利要求11所述的方法，还包括限制对应于所述取样电容器的电流。

14.根据权利要求11所述的方法，还包括限制对应于所述取样电容器的电压。

15.根据权利要求11所述的方法，还包括限制对应于所述样本和电平移位电路的取样电容。

16.根据权利要求11所述的方法，还包括限制对应于所述样本和电平移位电路的频率。

17.根据权利要求11所述的方法，其中所述高边开关为n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(nMOS晶体管)。